Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Эффект Холла в кристаллах CdTe, легированных Sn из паровой фазы
1Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича, Черновцы, Украина 
Поступила в редакцию: 13 марта 2014 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2014 г.
Исследован эффект Холла в полуизолирующих кристаллах CdTe, легированных примесью Sn из паровой фазы в закрытом объеме. Установлено, что проводимость обусловлена донорным центром с Et~0.7 эВ, а концентрация электронов и их подвижность при 300 K составляют (4-8)·106 см-3 и 200-300 см2/В·с соответственно.
- Properties of Narrow Gap Cadmium-based Compaunds (INSPEC, IEE, London, 1954)
- З.Ю. Готра. Технология микроэлектронных устройств. Справочник (М., Радио и связь, 1991)
- В.П. Махний, Н.В. Демич. Патент Украины N 62650А. Промышленная собственность. Официальный бюллетень, N12 (2003)
- В.П. Махний. ЖТФ, 75, 122 (2005)
- П.С. Киреев. Физика полупроводников (М. Высш. шк., 1969)
- П.Н. Горлей, О.А. Парфенюк, М.И. Илащук, И.В. Николаевич. Неорг. матер., 41(12), 1436 (2005)
- В.В. Матлак, М.И. Илащук, О.А. Парфенюк, П.А. Павлин, А.В. Савицкий. ФТП, 11(12), 2287 (1977)
- О. Panchuk, A. Savitskiy, P. Fochuk, Ye. Nykonyuk, O. Parfenyuk, L. Shcherbak, M. Ilashchuk, L. Yatsunyuk, P. Feychuk. J. Cryst. Growth, 197, 607 (1999)
- О.А. Парфенюк, А.В. Савицкий, П.А. Павлин, А.Л. Альбота. Изв. вузов. Физика, 4, 66 (1986)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
