"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электрические свойства FeGa2Se4 на переменном токе
Нифтиев Н.Н., Тагиев О.Б.1, Мурадов М.Б.2, Мамедов Ф.М.3
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан
3Институт проблемы химии Национальной академии наук Азербайджана, A Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 13 марта 2014 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2014 г.

Исследованы температурные и частотные зависимости диэлектрической проницаемости и электропроводности кристаллов FeGa2Se4 на переменном токе. Определены значения диэлектрической проницаемости. Предположено, что возрастание varepsilon' связано с увеличением концентрации дефектов с ростом температуры. Установлено, что в температурном интервале 294 - 374 K при частотах 104-2·105 Гц для электропроводности выполняется закономерность sigma propto fS (0.1 ≤ S ≤ 1.0). B кристалле FeGa24 изменение электропроводности в зависимости от частоты можно объяснить следующим образом: в кристаллах существуют кластеры, содержащие локализованные состояния с близкой энергией, и перескок электронов осуществляется между ними. В соединении FeGa2Se4 проводимость характеризуется зонно-прыжковыми механизмами.
  • A. Memo, W. Kwarteng-Acheampong, H. Heauseler. Mater. Res. Bull., 38, 1057 (2003)
  • Н.Н. Нифтиев, М.А. Алиджанов, О.Б. Тагиев, М.Б. Мурадов. ФТП, 37, 173 (2003)
  • Н.Н. Нифтиев, О.Б. Тагиев. ФТП, 38, 164 (2004)
  • Н.Н. Нифтиев, М.А. Алиджанов, О.Б. Тагиев, М.Б. Мурадов, Ф.М. Мамедов. ФТП, 38, 550 (2004)
  • Н.Н. Нифтиев. ФТП, 38, 522 (2004)
  • T. Torres, V. Sagredo, L.M. de Chalbaund, G. Attolini, F. Bolzoni. Phys. Condens. Matter, 384, 100 (2006)
  • F.J. Manjon, A. Segura, M. Amboage, J. Pellicer, J.F. Sancer-Royo et al. Phys. Status Solidi B, 244, 229 (2006)
  • V. Sagredo, M.C. Moron, L. Betancourt, G.E. Delgodo. J. Magnetic Mater., 312, 294 (2007)
  • Н.Н. Нифтиев, О.Б. Тагиев. ФТП, 41, 17 (2007)
  • Н.Н. Нифтиев, О.Б. Тагиев, М.Б. Мурадов. ФТП, 42, 268 (2008)
  • Н.Н. Нифтиев, О.Б. Тагиев, М.Б. Мурадов. Ф.М. Мамедов, Ф.А. Казымова. Письма ЖТФ, 35, 79 (2009)
  • Н.Н. Нифтиев, О.Б. Тагиев, М.Б. Мурадов, Ф.М. Мамедов. ФТП, 43, 1447 (2009)
  • И.В. Бондарь, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 43, 1549 (2009)
  • И.В. Бондарь, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков. ФТП, 44, 39 (2010)
  • С.А. Панахзаде. Тез. докл. Всес. конф. Тройные полупроводники и их применение" (Кишинев, Штиинца, 1976) с. 187
  • М.Р. Аллазов, П.К. Бабаева, П.Г. Рустамов. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 15, 1177 (1979)
  • Н.Н. Нифтиев. Укр. физ. журн., 48, 585 (2003)
  • Ю.М. Поплавко. Физика диэлектриков (М., Высш. шк., 1980)
  • Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982) т. 1
  • Н.Н. Нифтиев, М.А. Алиджанов, О.Б. Тагиев, М.Б. Мурадов. Укр. физ. журн., 47, 1054 (2002)
  • H. Bettger, V.V. Bruksin. Phys. Status Solidi B, 113, 9 (1982)
  • Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронная свойства легированных полупроводников (M., Наука, 1979)
  • В.В. Брыскин. ФТТ, 22, 2441 (1980)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.