Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние ионно-лучевой обработки в процессе реактивного высокочастотного магнетронного распыления на концентрацию и подвижность носителей заряда в пленках ITO

Крылов П.Н.¹, Закирова Р.М.¹, Федотова И.В.¹

¹Удмуртский государственный университет, Ижевск, Россия Udmurt State University, Izhevsk, Russia

Поступила в редакцию: 7 ноября 2013 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2014 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Показано, что ионная обработка в процессе получения пленок ITO реактивным высокочастотным магнетронным распылением способствует уменьшению сопротивления пленок даже при комнатной температуре. Исследовано изменение значений холловской подвижности и концентрации носителей заряда в зависимости от температуры конденсации и тока ионной обработки. Уменьшение сопротивления происходит преимущественно за счет увеличения концентрации основных носителей заряда. Предполагается, что изменение концентрации носителей заряда связано с дефектами (2Sn^o_InO''_i)^x.

С.И. Рембеза, П.Е. Воронов, Б.М. Синельников, Е.С. Рембеза. ФТП, 45 (11), 1538 (2011)
А.И. Бажин, А.Н. Троцан, С.В. Чертопалов, А.А. Стипаненко, В.И. Ступак. Физическая инженерия поверхности (Харьков), 10 (4), 342 (2012)
В.В. Наумов, В.Ф. Бочкарев, А.А. Горячев, А.С. Куницын, Е.И. Ильяшенко, П.Е. Гоа, Т.Х. Иохансен. ЖТФ, 74 (4), 48 (2004)
S.H. Mohamed, F.M. El-Hossary, G.A. Gamal, M.M. Kahlid. Acta Phys. Polon. A, 115 (3), 704 (2009)
В.М. Ветошкин, Р.М. Закирова, П.Н. Крылов. ВТТ, 21 (1), 57 (2011)
Л.П. Павлов. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов (М., Высш. шк., 1987)
С.С. Горелик, Ю.А. Скаков, Л.Н. Расторгуев. Рентгенографический и электроннографический анализ (М., МИСИС, 2002)
П.Н. Крылов, Р.М. Закирова, И.В. Федотова. ФТП, 47 (10), 1421 (2013)
H.Y. Yeom, N. Popovich, E. Chason, D.C. Paine. Thin Sol. Films, 411, 17 (2002)
Г.В. Юрченко. ВАНТ, 5, 97 (2000)
J.-H. Kim, J.-H. Lee, Y.-W. Heo, J.-J. Kim, J.-O. Park. J. Electroceram., 23, 169 (2009)
O. Tuna, Y. Selamet, G. Aygun, L. Ozyuzer. J. Phys. D: Appl. Phys., 43, 055 402 (2010)
D. Kim, S. Kim. Thin Sol. Films, 408, 218 (2002)
C. Warmsingh, Y. Yoshida, D. Readey, J. Perkins, P. Parilla, C. Teplin, T. Kaydanova, J. Alleman, L. Gedvilas, B. Keyes, T. Gessert, T. Coutts, D. Ginley. Conf. Paper NREL/CP-520-33596 (Denver, Colorado, USA, 2003)
J.W. Bae, J.S. Kim, G.Y. Yeom. Nucl. Instr. Meth. B, 178, 311 (2001)
L.-J. Meng, J. Gao, V. Teixeira, M.P. dos Santos. Phys. Status Solidi A, 205 (8), 1961 (2008)
L.-J. Meng, J. Gao, M.P. dos Santos, X. Wang, T. Wang. Thin Sol. Films, 516, 1365 (2008)
L.-J. Meng, J. Gao, R.A. Silva, S. Song. Thin Sol. Films, 516, 5454 (2008)
H. Liu, V. Avrutin, N. Izyumskaya, U. Ozgur, H. Morkoc. Superlatt. Microstruct., 48, 458 (2010)
D.H. Zhang, H.L. Ma. Appl. Phys. A. 62, 487 (1996)
K. Fuchsel, U. Schulz, N. Kaiser, A. Tunnermann. Proc. SPIE, 7101, 71010O (2008)
П.Н. Крылов, Р.М. Закирова, И.В. Федотова, Ф.З. Гильмутдинов. ФТП, 47 (6), 859 (2013)
Z. Qiao. Dissertation zur Erlangung des Grades Doktor der Naturwissenschaften (Dr. rer. nat.), (Hebei, V. R. China, 2003)
H. Guangzong, X. Changxing, Y. Xilin. Proc. SPIE, 6831, 683 111 (2007)
N. Balasubramanian, A. Subrahmanyam. J. Phys. D: Appl. Phys., 22, 206 (1989)
A. Klein, C. Korber, A. Wachau, F. Sauberlich, Y. Gassenbauer, S.P. Harvey, D.E. Proffit, T.O. Mason. Materials, 3 (11), 4892 (2010)
R.B.H. Tahar, T. Ban, Y. Ohya, Y. Takahashi. J. Appl. Phys., 83 (5), 2631 (1998)
O. Warschkow, D.E. Ellis, G.B. Gonsalez, T.O. Mason. J. Am. Ceram. Soc., 86 (10), 1700 (2003)
D.E. Proffit, D.B. Buchholz, R.P.H. Chang, M.J. Bedzyk, T.O. Mason, Q. Ma. J. Appl. Phys., 106, 113 524 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель