"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Процесс захвата дырок в гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками Ge
Блошкин А.А.1,2, Якимов А.И.1, Тимофеев В.А.1, Двуреченский А.В.1,2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 19 декабря 2013 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2014 г.

Методом спектроскопии адмиттанса определены сечения захвата и энергетические уровни дырок в гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками Ge, выращенных с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлено, что в слоях квантовых точек, полученных при низкой температуре роста Tg≤450oC, сечение захвата дырок в квантовые точки экспоненциально растет с увеличением энергии связи дырок (правило Мейера--Нельделя) с одинаковой, не зависящей от Tg характерной энергией ~25 мэВ. Показано, что правило Мейера--Нельделя нарушается в структурах, выращенных при более высоких температурах, а также в образцах, подвергнутых обработкам в водородной плазме. Для нанокластеров, синтезированных при низких температурах, полученные экспериментальные результаты свидетельствуют об электрон-фононном механизме захвата носителей заряда в квантовые точки Ge с участием структурных дефектов.
  1. В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб., Петербургский ин-т ядерной физики РАН, 1979)
  2. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, Г.Ю. Михалев. Письма ЖЭТФ, 80, 367 (2004)
  3. D.L. Losse. Appl. Phys. Lett., 21, 54 (1972)
  4. V.I. Zubkov, C.M.A. Kapteyn, A.V. Solomonov, D. Bimberg. J. Phys.: Condens. Matter,17, 2435 (2005)
  5. Th. Asperger, Ch. Miesner, K. Bruner, G. Abstreiter. Phys. Status Solidi b, 224, 237 (2001)
  6. D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
  7. K. Dmowski, B. Lepley, E. Losson, M.El. Bouabdellati. J. Appl. Phys., 74, 3936 (1974)
  8. C.H. Henry, D.V. Lang. Phys. Rev. B, 15, 989 (1977)
  9. H.L. Wang, F.H. Yang, H.J. Zhu, D. Ning, H. Wang, X.D. Wang. Phys. Rev. B, 61, 5530 (2000)
  10. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) кн. 1, ч. 2, гл. 2, с. 86
  11. W. Meyer, H. Neldel. Z. Tech. Phys., B12, 588 (1937)
  12. R.S.Crandall. Phys. Rev. B, 43, 4057 (1991)
  13. G. Boiswert, L. Lewis, A. Yelon. Phys. Rev. Lett., 75, 469 (1995)
  14. W. Jakson. Phys. Rev. B, 38, 3595 (1988)
  15. K.L. Narashiman, B.M. Arota. Sol. St. Commun., 55, 615 (1985)
  16. T.J. Coutts, N.M. Pearsall. Appl. Phys. Lett., 44, 134 (1984)
  17. Y.F. Cheng, S.F. Huang. Phys. Rev. B, 44, 13 775 (1991)
  18. A. Yelon, B. Movaghar. Phys. Rev. Lett., 65, 618 (1990)
  19. A. Yelon, B. Movaghar, H.M. Brantz. Phys. Rev. B, 46, 12 244 (1992)
  20. I. Buyanova, W. Chen, G. Pozina et al. Appl. Phys. Lett., 71, 3676 (1997)
  21. Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii et al. J. Appl. Phys., 96, 7665 (2004)
  22. J.L. Benton, C.J. Doherty, S.D. Ferris et al. Appl. Phys. Lett., 36, 670 (1980)
  23. Y. Park, J. Lu, G. Rozgoni. Appl. Phys. Lett., 105, 014 912 (2009)
  24. J.I. Pankove, R.O. Wance, J.E. Berkenheizer. Appl. Phys. Lett., 45, 110 (1984)
  25. N.M. Jonson, C. Herring, D.J. Chadi. Phys. Rev. Lett., 56, 769 (1986)
  26. N.M.Jonson. Phys. Rev. B, 31, 5525 (1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.