Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние толщины прослойки GaAs на квантовое связывание и оптическую поляризацию вертикально-коррелированной 10-слойной системы квантовых точек InAs/GaAs

Соболев М.М.¹, Гаджиев И.М.¹, Буяло М.С.¹, Неведомский В.Н.¹, Задиранов Ю.М.¹, Золотарева Р.В.¹, Васильев А.П.¹, Устинов В.М.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 18 декабря 2013 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2014 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты экспериментальных исследований поляризационной оптической анизотропии электролюминесценции и поглощения 10-слойной системы вертикально-коррелированных квантовых точек (ВККТ) InAs/GaAs, встроенной в двухсекционный лазер с секциями одинаковой длины и с толщиной прослойки GaAs между квантовыми точками InAs 8.6 нм. Установлено, что поляризационная анизотропия электролюминесценции и поглощения для такой системы меньше по сравнению с аналогичными величинами для систем с одним рядом квантовых точек и молекул квантовых точек, но больше, чем для сверхрешетки квантовых точек. Кроме того, представлены результаты исследований дифференциального поглощения в зависимости от приложенного к исследуемой структуре электрического поля. Измерена зависимость темпа изменения смещения Штарка от внешнего электрического поля, что позволило экспериментально выявить наличие контролируемого квантового связывания двух соседних квантовых точек в 10-слойных системах ВККТ InAs/GaAs с толщиной прослойки GaAs 8.6 и 30 нм. Измеренные поляризационные зависимости показали, что они определяются эффектом вовлечения основных состояний тяжелых дырок в оптические переходы и природа этого эффекта определяется двумерностью исследуемой системы.

D. Bimberg, M. Grundmann, N.N. Ledentsov. Quantum Dot Heterostructures (Wiley, Chichester, 1998)
M. Bayer, P. Hawrylak, K. Hinzer, S. Fafard, M. Korkusinski, Z.R. Wasilewski, O. Stern, A. Forchel. Science, 291, 451 (2001)
W. Sheng, J.-P. Leburton. Phys. Rev. Lett., 86 (16), 167 401 (2002)
G. Ortner, I. Yugova, G. Baldassarri Hoger von Hogersthal, A. Larionov, H. Kurtze, D.R. Yakovlev, M. Bayer, S. Fafard, Z. Wasilewski, P. Hawrylak, Y.B. Lyanda-Geller, T.L. Reinecke, A. Babinski, M. Potemski, V.B. Timofeev, A. Forchel. Phys. Rev. B, 71, 125 335 (2005)
H.J. Krenner, M. Sabathil, E.C. Clark, A. Kress, D. Schuh, M. Bichler, G. Abstreiter, J.J. Finley. Phys. Rev. Lett., 94, 057 402 (2005)
М.М. Соболев, Г.Э. Цырлин, Ю.Б. Самсоненко, Н.К. Поляков, А.А. Тонких, Ю.Г. Мусихин. ФТП, 39, 131 (2005)
М.М. Соболев, А.Е. Жуков, А.П. Васильев, Е.С. Семенова, В.С. Михрин, Г.Э. Цырлин, Ю.Г. Мусихин. ФТП, 40, 84 (2006)
М.М. Соболев, И.М. Гаджиев, И.О. Бакшаев, В.С. Михрин, В.Н. Неведомский, М.С. Буяло, Ю.М. Задиранов, Е.Л. Портной. ФТП, 43, 512 (2009)
V.V. Nikolaev, N.S. Averkiev, M.M. Sobolev, I.M. Gadzhiyev, I.O. Bakshaev, M.S. Buyalo, E.L. Portnoi. Phys. Rev. B, 80, 205 304 (2009)
V.G. Talalaev, G.E. Cirlin, A.A. Tonkikh, N.D. Zakharov, J.W. Tomm, P. Werner, U. Gosele. Nanoscale Res. Lett., 1 (2), 137 (2006)
M.M. Sobolev, G.E. Cirlin, A.A. Tonkikh. Physica B: Condens. Matter, 401--402, 576 (2007)
М.М. Соболев, Г.Э. Цырлин, А.А. Тонких, Н.Д. Захаров. ФТП, 42, 311 (2008)
М.М. Соболев, А.П. Васильев, В.Н. Неведомский. ФТП, 44, 790 (2010)
М.М. Соболев, И.М. Гаджиев, И.О. Бакшаев, В.Н. Неведомский, М.С. Буяло, Ю.М. Задиранов, Е.Л. Портной. ФТП, 45, 1095 (2011)
М.М. Соболев, И.М. Гаджиев, И.О. Бакшаев, В.Н. Неведомский, М.С. Буяло, Ю.М. Задиранов, Р.В. Золотарева, Е.Л. Портной. ФТП, 46, 93 (2012)
A. Gubenko, D. Livshits, I. Krestnikov, S. Mikhrin, A. Kozhukhov, A. Kovsh, N. Ledentsov, A. Zhukov, E. Portnoi. Electron. Lett., 41, 1124 (2005)
M. Sobolev, M. Buyalo, I. Gadzhiev, I. Bakshaev, Y. Zadiranov, E. Portnoi. Nanoscale Res. Lett., 7, 545 (2012)
M. Grundmann, N.N. Ledentsov, O. Stier, J. Bohrer, D. Bimberg, V.M. Ustinov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Phys. Rev. B, 53, R10 509 (1996)
F. Adler, M. Geiger, A. Bauknecht, F. Scholz, H. Schweizer, M.H. Pilkuhn, B. Ohnesorge, A. Forchel. J. Appl. Phys., 80, 4019 (1996)
T. Tanaka, J. Singh, Y. Arakawa, P. Bhattachatya. Appl. Phys. Lett., 62, 756 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель