Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Энергии диссоциации комплекса C_iC_s и A-центра в кремнии

Бояркина Н.И.¹, Смагулова С.А.², Артемьев А.А.²

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Якутский государственный университет, Якутск, Россия

Поступила в редакцию: 3 сентября 2001 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2002 г.

PDF версия

Рассмотрены реакции отжига комплексов межузельного атома углерода с углеродом замещения (C_iC_s) и A-центра (VO) в n-Si, облученном быстрыми электронами или gamma-квантами ⁶⁰Co. Сделан расчет кинетики изохронного отжига этих центров. Путем сопоставления результатов расчета с литературными экспериментальными данными, полученными при измерениях концентрации центра с уровнем E_c-0.17 эВ в процессе изохронного отжига облученного n-Si, определено значение энергии диссоциации комплекса C_iC_s: E_{C_iC_s}=(1.10±0.05) эВ. Энергия активации отжига этого центра E_{aC_iC_s}~ 2.0 эВ. Сделана оценка энергии диссоциации A-центра: E_A=1.94 эВ.

А.В. Васильев, В.И. Панов, С.А. Смагулова, С.С. Шаймеев. ФТП, 21, 573 (1987)
А.Г. Литвинко, Л.Ф. Макаренко, Л.И. Мурин, В.Д. Ткачев. ФТП, 14, 776 (1980)
L.I. Murin. Phys. St. Sol. (a), 93, K147 (1986)
И.Ф. Медведева, Л.Ф. Макаренко, В.П. Маркевич, Л.И. Мурин. Изв. АН БССР. Сер. физ.-мат. наук, N 3, 19 (1991)
B.G. Svensson, J.L. Lindstrom. Phys. Rev. B, 34, 8709 (1986)
Н.И. Бояркина. ФТП, 34, 425 (2000)
А.И. Баранов, А.В. Васильев, В.Ф. Кулешов, А.Ф. Вяткин, Л.С. Смирнов. Препринт: Константы скорости реакций между многозарядными центрами в полупроводниках (Черноголовка, 1985)
G. Davies, E.C. Lightowlerst, R.C. Newmant, A.S. Oates. Semicond. Sci. Technol., 2, 524 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель