"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О порогах возникновения неупругих деформаций в поверхностных слоях Si и GaAs при многократном импульсном лазерном облучении
Винценц С.В.1, Зотеев А.В., Плотников Г.С.
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 16 января 2002 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2002 г.

Бесконтактным локальным фотоакустическим методом, базирующимся на спектроскопии отклонения лазерных лучей, впервые оценены в микронных областях Si и GaAs величины 10-5<varphi0<10-4 максимальных упругих сдвиговых поверхностных деформаций. Показано, что при амплитудах квазистатических фотодеформаций varphi>varphi0 в полупроводниках под действием серии сфокусированных лазерных импульсов развиваются необратимые неупругие процессы. Исследования диффузного и комбинационного рассеяния света вблизи порогов varphi0 свидетельствуют, что на начальных стадиях неупругих циклических фотодеформаций поверхностных слоев доминируют процессы генерации и пространственного перераспределения именно точечных (а не протяженных, типа дислокаций) дефектов. Приведены оценки некоторых пороговых величин для Si и GaAs, таких как поверхностные фотоиндуцированные нагревы и средние уровни сдвиговых напряжений, которые возникают в деформируемых поверхностных полупроводниковых слоях при локальном субмикросекундном облучении. Обсуждается природа низкопороговых эффектов.
  1. M.A. Almstead, N.M. Amer, S. Kohn, D. Fournier, A.C. Boccara. Appl. Phys. A, 32, 141 (1983)
  2. С.В. Винценц, С.Г. Дмитриев. ЖТФ. 67 (2), 105 (1997)
  3. А.Г. Барсков, С.В. Винценц. ФТТ, 36, 2590 (1994)
  4. С.В. Винценц, С.Г. Дмитриев. Письма ЖТФ. 21 (19), 1 (1995)
  5. С.В. Винценц, С.Г. Дмитриев, О.Г. Шагимуратов. Письма ЖТФ, 22 (8), 8 (1996)
  6. S.S. Cohen, J.B. Bernstein, P.W. Wyatt. J. Appl. Phys., 71, 630 (1992)
  7. А.Г. Барсков, С.В. Винценц, Г.Г. Дворянкина, З.М. Лебедева, В.Е. Любченко, А.Б. Ормонт, А.Г. Петров. Поверхность, N 3, 79 (1995)
  8. C.S. Lee, N. Koumvakalis, M. Bass. Appl. Phys. Lett., 47, 625 (1982); Opt. Eng., 22, 419 (1983)
  9. C.S. Lee, N. Koumvakalis, M. Bass. Appl. Phys., 54, 5727 (1983)
  10. А.Л. Полякова. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов (М., Энергия. 1979)
  11. В.Е. Любченко. Радиотехника, N 1, 87, (2000)
  12. С.В. Винценц, С.Г. Дмитриев, Р.А. Захаров. Г.С. Плотников. ФТП, 31, 513 (1997)
  13. С.В. Винценц, В.Б. Зайцев, А.В. Зотеев, Г.С. Плотников, А.И. Родионов, А.В. Червяков. ФТП, 36 (8), 947 (2002)
  14. В.Ф. Киселев, С.Н. Козлов, А.В. Зотеев. Основы физики поверхности твердого тела (М., Изд-во МГУ, 1999) гл. 4
  15. Б.Л. Володин, В.И. Емельянов, Ю.Г. Шлыков. Квант. электрон., 20, 57 (1993)
  16. И.И. Новак, В.И. Веттегрень, Б.М. Ташпулатов. Матер. II Всес. конф. " Спектроскопия комбинационного рассеяния света" (М., 1978)
  17. В.П. Алехин. Физика прочности и пластичности поверхностных слоев материалов (М., Наука, 1983)
  18. С.В. Винценц, С.Г. Дмитриев, К.И. Спиридонов. ФТТ, 39, 2224 (1997)
  19. Таблицы физических величин, под ред. И.К. Кикоина (1976)
  20. Landolt-Bornstein. Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology. New Series. Group 3. 17-G (1984)
  21. В.И. Емельянов. Квант. электрон., 28, 2 (1999).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.