Контроль параметров процесса молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs при низких температурах роста
Преображенский В.В.1, Путято М.А.1, Семягин Б.Р.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 24 декабря 2001 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2002 г.
Фазовые диаграммы поверхностных структур GaAs (001) использованы для калибровки датчиков температуры подложки и потока As в установках молекулярно-лучевой эпитаксии. Измерена температура сублимации слоя аморфного мышьяка, адсорбированного на поверхность арсенида галлия. Показано, что данная температура постоянна и не зависит от скорости нагрева подложки, толщины осажденного слоя, вакуумных условий внутри установки молекулярно-лучевой эпитаксии и может быть использована в качестве реперной точки при калибровке температуры подложки в области низких температур роста.
- S.L. Wright, R.F. Marks, A.E. Goldberg. J. Vac. Sci. Technol. B, 6, 842 (1988)
- R. Fernandez. J. Cryst. Growth, 116, 98 (1992)
- E.S. Hellman, P.M. Pitner, A. Harwit, D. Liu, G.W. Yoffe, J.S.Jr. Harris, B. Caffe, T. Hierl. J. Vac. Sci. Technol. B, 4, 574 (1986)
- A.J. Spring Thorpe, S.J. Ingrey, B. Emmerstorfer, P. Mandeville. Appl. Phys. Lett., 50 (2), 77 (1987)
- V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, O.P. Pchelyakov, B.R. Semyagin. J. Cryst. Growth, 201/202, 166 (1999)
- В.В. Преображенский, В.П. Мигаль, Д.И. Лубышев. Поверхность. Физика, химия, механика, 9, 156 (1989)
- N.J. Kawai, T. Nakagawa, T. Kojima, K. Ohta, M. Kawashima. Electron. Lett., 20, 47 (1984)
- J.H. Neave, B.A. Joyce. J. Cryst. Growth, 43, 204 (1978)
- V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, O.P. Pchelyakov, B.R. Semyagin. J. Cryst. Growth, 201/202, 170 (1999)
- B.S. Krusor, R.Z. Bachrach. J. Vac. Sci. Technol. B, 1, 138 (1983)
- В.А. Рабинович, З.Я. Хавин. Краткий химический справочник, под ред. А.А. Потехина, А.И. Ефимова (Л., Химия, 1991) с. 432
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.