"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Контроль параметров процесса молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs при низких температурах роста
Преображенский В.В.1, Путято М.А.1, Семягин Б.Р.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 24 декабря 2001 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2002 г.

Фазовые диаграммы поверхностных структур GaAs (001) использованы для калибровки датчиков температуры подложки и потока As в установках молекулярно-лучевой эпитаксии. Измерена температура сублимации слоя аморфного мышьяка, адсорбированного на поверхность арсенида галлия. Показано, что данная температура постоянна и не зависит от скорости нагрева подложки, толщины осажденного слоя, вакуумных условий внутри установки молекулярно-лучевой эпитаксии и может быть использована в качестве реперной точки при калибровке температуры подложки в области низких температур роста.
  1. S.L. Wright, R.F. Marks, A.E. Goldberg. J. Vac. Sci. Technol. B, 6, 842 (1988)
  2. R. Fernandez. J. Cryst. Growth, 116, 98 (1992)
  3. E.S. Hellman, P.M. Pitner, A. Harwit, D. Liu, G.W. Yoffe, J.S.Jr. Harris, B. Caffe, T. Hierl. J. Vac. Sci. Technol. B, 4, 574 (1986)
  4. A.J. Spring Thorpe, S.J. Ingrey, B. Emmerstorfer, P. Mandeville. Appl. Phys. Lett., 50 (2), 77 (1987)
  5. V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, O.P. Pchelyakov, B.R. Semyagin. J. Cryst. Growth, 201/202, 166 (1999)
  6. В.В. Преображенский, В.П. Мигаль, Д.И. Лубышев. Поверхность. Физика, химия, механика, 9, 156 (1989)
  7. N.J. Kawai, T. Nakagawa, T. Kojima, K. Ohta, M. Kawashima. Electron. Lett., 20, 47 (1984)
  8. J.H. Neave, B.A. Joyce. J. Cryst. Growth, 43, 204 (1978)
  9. V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, O.P. Pchelyakov, B.R. Semyagin. J. Cryst. Growth, 201/202, 170 (1999)
  10. B.S. Krusor, R.Z. Bachrach. J. Vac. Sci. Technol. B, 1, 138 (1983)
  11. В.А. Рабинович, З.Я. Хавин. Краткий химический справочник, под ред. А.А. Потехина, А.И. Ефимова (Л., Химия, 1991) с. 432

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.