"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Взаимосвязь морфологии пористого кремния с особенностями спектров комбинационного рассеяния света
Булах Б.М.1, Джумаев Б.Р.1, Корсунская Н.Е.1, Литвин О.С.1, Торчинская Т.В.1, Хоменкова Л.Ю.1, Юхимчук В.А.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 13 июня 2001 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2002 г.

Исследованы структурные характеристики и спектры комбинационного рассеяния света слоев пористого кремния. Показано, что эффект усиления интенсивности сигнала рамановского рассеяния от пористого кремния по сравнению с интенсивностью сигнала от подложки связан с присутствием в образцах пор микронных размеров. Предложена модель, позволяющая объяснить это усиление и форму сигнала, в том числе совпадение сигнала от пористого слоя по форме и положению с линией от кремниевой подложки.
  1. D.J. Lockwood, A.G. Wang. Sol. St. Commun., 94, 905 (1995)
  2. H.D. Fuchs, M. Stutsmann, M.S. Brandt, M. Rosenbauer, J. Weber, A. Breitschwerdt, P. Deak, M. Cardona. Phys. Rev. B, 48, 8172 (1993)
  3. H.-J. Lee, Y.H. Seo, D.-H. Oh, K.S. Nahm, I.C. Jeon, E.-K. Suh, Y.H. Lee, H.J. Lee. J. Appl. Phys., 75, 8060 (1994)
  4. A.A. Filios, S.S. Hefner, R. Tsu. J. Vac. Sci. Technol. B, 14, 3431 (1996)
  5. М.Е. Компан, И.И. Новак, В.Б. Кулик, Н.А. Камакова. ФТТ, 41, 1320 (1999)
  6. A. Otto. In: Light Scattering in Solids IV, ed. by M. Cardona, G. Guntherodt (N.Y., Springer, 1984)
  7. H.-J. Lee, Y.H. Seo, D.-H. Oh, K.S. Nahm, I.C. Jeon, E.-K. Suh, Y.H. Lee, H.J. Lee, Y.G. Hwang, K.-H. Park, S.H. Chang, E.H. Lee. Appl. Phys. Lett., 62, 855 (1993)
  8. R.L. Smith, S.D. Collins. J. Appl. Phys., 71, R1 (1992)
  9. М.Е. Компан, И.Ю. Шабанов. ФТП, 29, 1859 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.