"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние водорода на свойства диодных структур с квантовыми ямами Pd/GaAs/InGaAs
Карпович И.А.1, Тихов С.В.1, Шоболов Е.Л.1, Звонков Б.Н.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 26 ноября 2001 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2002 г.

Исследовано влияние водорода на фотоэлектрические свойства и фотолюминесценцию диодных структур с квантовыми ямами Pd/GaAs/InGaAs. Выяснено влияние толщины анодного окисла GaAs на характеристики этих структур, и определена его оптимальная толщина для водородных сенсоров. Установлено существенное влияние металлических мостиков в тонких слоях окисла на вольт-амперные характеристики структур. Показано, что квантовые ямы повышают чувствительность структур к водороду. С использованием квантовых ям как индикаторов дефектов обнаружено и исследовано образование дефектов при нанесении Pd-электрода на естественную и окисленную поверхность GaAs. Установлена возможность пассивации дефектов в квантовых ямах диодных структур путем введения атомарного водорода через Pd-электрод при обработке структур в атмосфере молекулярного водорода.
  1. А.В. Евдокимов, М.Н. Муршудли, А.В. Ржанов, С.Б. Фоменко, В.И. Филипов. Зарубеж. электрон. техн., вып. 2, 231 (1988)
  2. Г.Г. Ковалевская, М.М. Мередов, Е.В. Руссу, Х.М. Салихов, С.В. Слободчиков. ЖТФ, 63, 185 (1993)
  3. С.В. Тихов, В.П. Лесников, В.В. Подольский, М.В. Шилова. ЖТФ, 65, 120 (1995)
  4. В.И. Гаман, М.О. Дученко, В.М. Калыгина. Изв. вузов. Физика, вып. 1, 69 (1998)
  5. H.C. Card, E.H. Rhoderick. J. Phys. D, 4, 1589 (1971)
  6. G. Lewicki. J. Appl. Phys., 47, 1552 (1976)
  7. V. Kumar, W.E. Dahlke. Sol. St. Electron., 20, 143 (1977)
  8. И.А. Карпович, А.В. Аншон, Д.О. Филатов. ФТП, 32, 1089 (1998)
  9. И.А. Карпович, А.В. Аншон, Н.В. Байдусь, Л.М. Батукова, Ю.А. Данилов, Б.Н. Звонков, С.М. Планкина. ФТП, 28, 104 (1994)
  10. M. Stavola. Acta Phys. Polon. A, 82, 585 (1992)
  11. Y.-L. Chang, I.-H. Tan, E. Hu, J. Merz, V. Emeliani, A. Frova. J. Appl. Phys., 75, 3040 (1994)
  12. Ю.А. Бумай, Б.С. Явич, М.А. Синицын, А.Г. Ульяшин, Н.В. Шлопак, В.Ф. Воронин. ФТП, 28, 276 (1994)
  13. S.M. Lord, G. Roos, J.S. Harris, N.M. Johnson. J. Appl. Phys., 73, 740 (1992)
  14. С.В. Тихов, Б.И. Бедный, И.А. Карпович, В.В. Мартынов. Микроэлектроника, 10 (3), 250 (1981)
  15. Л.М. Красильникова, И.В. Ивонин, М.П. Якубеня, Н.К. Максимова, Г.К. Арбузова. Изв. вузов. Физика, вып. 3, 60 (1989)
  16. С.В. Тихов, В.В. Мартынов, И.А. Карпович, Б.И. Бедный. Электрон. техн., сер. 2, 6 (157), 18 (1982)
  17. Л.Л. Одынец, В.М. Орлов. Анодные окисные пленки (Л., Наука, 1990).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.