Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние водорода на свойства диодных структур с квантовыми ямами Pd/GaAs/InGaAs
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
Поступила в редакцию: 26 ноября 2001 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2002 г.
Исследовано влияние водорода на фотоэлектрические свойства и фотолюминесценцию диодных структур с квантовыми ямами Pd/GaAs/InGaAs. Выяснено влияние толщины анодного окисла GaAs на характеристики этих структур, и определена его оптимальная толщина для водородных сенсоров. Установлено существенное влияние металлических мостиков в тонких слоях окисла на вольт-амперные характеристики структур. Показано, что квантовые ямы повышают чувствительность структур к водороду. С использованием квантовых ям как индикаторов дефектов обнаружено и исследовано образование дефектов при нанесении Pd-электрода на естественную и окисленную поверхность GaAs. Установлена возможность пассивации дефектов в квантовых ямах диодных структур путем введения атомарного водорода через Pd-электрод при обработке структур в атмосфере молекулярного водорода.
- А.В. Евдокимов, М.Н. Муршудли, А.В. Ржанов, С.Б. Фоменко, В.И. Филипов. Зарубеж. электрон. техн., вып. 2, 231 (1988)
- Г.Г. Ковалевская, М.М. Мередов, Е.В. Руссу, Х.М. Салихов, С.В. Слободчиков. ЖТФ, 63, 185 (1993)
- С.В. Тихов, В.П. Лесников, В.В. Подольский, М.В. Шилова. ЖТФ, 65, 120 (1995)
- В.И. Гаман, М.О. Дученко, В.М. Калыгина. Изв. вузов. Физика, вып. 1, 69 (1998)
- H.C. Card, E.H. Rhoderick. J. Phys. D, 4, 1589 (1971)
- G. Lewicki. J. Appl. Phys., 47, 1552 (1976)
- V. Kumar, W.E. Dahlke. Sol. St. Electron., 20, 143 (1977)
- И.А. Карпович, А.В. Аншон, Д.О. Филатов. ФТП, 32, 1089 (1998)
- И.А. Карпович, А.В. Аншон, Н.В. Байдусь, Л.М. Батукова, Ю.А. Данилов, Б.Н. Звонков, С.М. Планкина. ФТП, 28, 104 (1994)
- M. Stavola. Acta Phys. Polon. A, 82, 585 (1992)
- Y.-L. Chang, I.-H. Tan, E. Hu, J. Merz, V. Emeliani, A. Frova. J. Appl. Phys., 75, 3040 (1994)
- Ю.А. Бумай, Б.С. Явич, М.А. Синицын, А.Г. Ульяшин, Н.В. Шлопак, В.Ф. Воронин. ФТП, 28, 276 (1994)
- S.M. Lord, G. Roos, J.S. Harris, N.M. Johnson. J. Appl. Phys., 73, 740 (1992)
- С.В. Тихов, Б.И. Бедный, И.А. Карпович, В.В. Мартынов. Микроэлектроника, 10 (3), 250 (1981)
- Л.М. Красильникова, И.В. Ивонин, М.П. Якубеня, Н.К. Максимова, Г.К. Арбузова. Изв. вузов. Физика, вып. 3, 60 (1989)
- С.В. Тихов, В.В. Мартынов, И.А. Карпович, Б.И. Бедный. Электрон. техн., сер. 2, 6 (157), 18 (1982)
- Л.Л. Одынец, В.М. Орлов. Анодные окисные пленки (Л., Наука, 1990).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
