"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Многоканальное рассеяние носителей заряда на гетероструктурах с квантовыми ямами
Галиев В.И.1, Круглов А.Н.1, Полупанов А.Ф.1, Голдис Е.М.2, Тансли Т.Л.2
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2Semiconductor Science and Technology Laboratories, Macquarie University, North Ryde NSW, Australia
Поступила в редакцию: 9 апреля 2001 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2002 г.

Развит эффективный численно-аналитический метод расчета состояний непрерывного спектра в системах с квантовыми ямами с произвольным профилем потенциала, описываемых системой связанных уравнений Шредингера, таких как состояния дырок в полупроводниковых квантовых ямах. Состояния сплошного спектра находятся точно, в постановке, соответствующей задаче рассеяния. Построены состояния рассеяния ( in/out-решения) и S-матрица в случае многоканального рассеяния в одномерных системах с квантовыми ямами, получены и проанализированы их свойства симметрии. Метод применен для исследования рассеяния дырок на квантовых ямах GaInAs--InGaAsP с напряженными слоями. Вычислены зависимости коэффициентов прохождения и отражения дырок, а также времен задержки от энергии падающей дырки для различных значений параметров структур и величины компоненты импульса, параллельной гетерограницам. При энергиях, при которых закрыт канал с превращением тяжелой дырки в распространяющуюся легкую, рассеяние тяжелой дырки на квантовой яме имеет резонансный характер.
  1. V.I. Galiev, E.M. Goldys, M.G. Novak, A.F. Polupanov, T.L. Tansley. Superlat. Microstruct., 17, 421 (1995)
  2. V.I. Galiev, A.F. Polupanov. J. Phys. A: Math. Gen., 32, 5477 (1999)
  3. S.L. Chuang. Phys. Rev. B, 40, 9649 (1989)
  4. S.L. Chuang. Phys. Rev. B, 43, 9649 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.