"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Многоканальное рассеяние носителей заряда на гетероструктурах с квантовыми ямами
Галиев В.И.1, Круглов А.Н.1, Полупанов А.Ф.1, Голдис Е.М.2, Тансли Т.Л.2
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2Semiconductor Science and Technology Laboratories, Macquarie University, North Ryde NSW, Australia
Поступила в редакцию: 9 апреля 2001 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2002 г.

Развит эффективный численно-аналитический метод расчета состояний непрерывного спектра в системах с квантовыми ямами с произвольным профилем потенциала, описываемых системой связанных уравнений Шредингера, таких как состояния дырок в полупроводниковых квантовых ямах. Состояния сплошного спектра находятся точно, в постановке, соответствующей задаче рассеяния. Построены состояния рассеяния ( in/out-решения) и S-матрица в случае многоканального рассеяния в одномерных системах с квантовыми ямами, получены и проанализированы их свойства симметрии. Метод применен для исследования рассеяния дырок на квантовых ямах GaInAs--InGaAsP с напряженными слоями. Вычислены зависимости коэффициентов прохождения и отражения дырок, а также времен задержки от энергии падающей дырки для различных значений параметров структур и величины компоненты импульса, параллельной гетерограницам. При энергиях, при которых закрыт канал с превращением тяжелой дырки в распространяющуюся легкую, рассеяние тяжелой дырки на квантовой яме имеет резонансный характер.
  • V.I. Galiev, E.M. Goldys, M.G. Novak, A.F. Polupanov, T.L. Tansley. Superlat. Microstruct., 17, 421 (1995)
  • V.I. Galiev, A.F. Polupanov. J. Phys. A: Math. Gen., 32, 5477 (1999)
  • S.L. Chuang. Phys. Rev. B, 40, 9649 (1989)
  • S.L. Chuang. Phys. Rev. B, 43, 9649 (1991)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.