Вышедшие номера
Многоканальное рассеяние носителей заряда на гетероструктурах с квантовыми ямами
Галиев В.И.1, Круглов А.Н.1, Полупанов А.Ф.1, Голдис Е.М.2, Тансли Т.Л.2
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2Semiconductor Science and Technology Laboratories, Macquarie University, North Ryde NSW, Australia
Поступила в редакцию: 9 апреля 2001 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2002 г.

Развит эффективный численно-аналитический метод расчета состояний непрерывного спектра в системах с квантовыми ямами с произвольным профилем потенциала, описываемых системой связанных уравнений Шредингера, таких как состояния дырок в полупроводниковых квантовых ямах. Состояния сплошного спектра находятся точно, в постановке, соответствующей задаче рассеяния. Построены состояния рассеяния ( in/out-решения) и S-матрица в случае многоканального рассеяния в одномерных системах с квантовыми ямами, получены и проанализированы их свойства симметрии. Метод применен для исследования рассеяния дырок на квантовых ямах GaInAs-InGaAsP с напряженными слоями. Вычислены зависимости коэффициентов прохождения и отражения дырок, а также времен задержки от энергии падающей дырки для различных значений параметров структур и величины компоненты импульса, параллельной гетерограницам. При энергиях, при которых закрыт канал с превращением тяжелой дырки в распространяющуюся легкую, рассеяние тяжелой дырки на квантовой яме имеет резонансный характер.