"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Локализованные состояния в соединении Hg3In2Te6<Cr>
Горлей П.Н.1, Грушка О.Г.1, Фрасуняк В.М.1
1Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 14 мая 2001 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2002 г.

Исследовано влияние легирования хромом на энергетический спектр плотности состояний N(E) в запрещенной зоне полупроводникового соединения Hg3In2Te6. Несмотря на то, что примесь хрома не оказывает существенного влияния на электрические свойства и положение уровня Ферми, однако увеличивает ширину зонных хвостов и плотность состояний внутри запрещенной зоны Eg. Из сопоставления данных по эффекту поля и спектрального поглощения в области энергий фотонов hnu, меньших Eg, установлен монотонный характер распределения плотности состояний, которая быстро увеличивается вблизи краев зон валентной и проводимости. Полученные спектры обсуждаются в предположении, что с ростом содержания хрома увеличиваются структурное разупорядочение и случайный потенциал, приводящий к повышению N(E). Показано, что локализованные состояния определяют длину экранирования, обусловливают фиксацию уровня Ферми вблизи середины запрещенной зоны и компенсацию зарядов ионов примеси.
  1. G.G. Grushka, A.P. Bakhtinov, Z.M. Grushka. J. Adv. Mater., 4 (1), 36 (1997)
  2. Л.С. Палатник, В.М. Кошкин, Ю.Ф. Комник. Химическая связь в полупроводниках и твердых телах (Минск, Наука и техника, 1965) с. 301
  3. Д.Б. Ананьина, В.Л. Бакуменко, Л.Н. Курбатов. ФТП, 10, 2373 (1976)
  4. А.И. Малик, Г.Г. Грушка. ЖТФ, 60, 188 (1990)
  5. О.Г. Грушка, З.М. Грушка, В.М. Фрасуняк. ФТП, 33, 1416 (1999)
  6. В.И. Фистуль. Амфотерные примеси в полупроводниках (М., Металлургия, 1992)
  7. В.Ф. Мастеров. ФТП, 18, 3 (1984)
  8. Х. Фрицше. Аморфный кремний и родственные материалы (М., Мир, 1991)
  9. Л.А. Балагуров, Э.М. Омельяновский, Т.Н. Пинскер. ФТП, 19, 48 (1985)
  10. В.Л. Бонч-Бруевич, И.П. Звягин, Р. Кайнер. Электронная теория неупорядоченных полупроводников (М., Наука, 1981)
  11. E.Rosencher, R. Coppard. J. Appl. Phys., 55, 971 (1984)
  12. А. Меден, М. Шо. Физика и применение аморфных полупроводников (М., Мир, 1991)
  13. Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982) т. 1

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.