"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Зонная структура полупроводниковых соединений Mg2Si и Mg2Ge с напряженной кристаллической решеткой
Кривошеева А.В.1, Холод А.Н.1, Шапошников В.Л.1, Кривошеев А.Е.1, Борисенко В.Е.1
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 19 сентября 2001 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2002 г.

Теоретическим моделированием с помощью метода линейных присоединенных плоских волн исследовано изменение зонной структуры непрямозонных полупроводников Mg2Si и Mg2Ge при изотропной и одноосной деформации их кристаллических решеток. Обнаружено, что уменьшение постоянной решетки до 95% приводит к линейному увеличению энергетического зазора для прямого перехода в силициде магния на 48%, в то время как величина энергетического зазора для непрямого перехода уменьшается вплоть до перекрытия, характерного для бесщелевых полупроводников. Напряжения, возникающие вследствие одноосных деформаций, не только смещают зоны, но и приводят к расщеплению вырожденных состояний. Изменения величин межзонных переходов в этом случае носят нелинейный характер.
  1. Semiconducting Silicidies, ed. by V.E. Borisenko (Berlin, Springer, 2000)
  2. W.J. Scouler. Phys. Rev., 178, 1353 (1969).
  3. F. Vazquez, R.A. Forman, M. Cardona. Phys. Rev., 176, 905 (1968)
  4. Y. Au-Yang, M.L. Cohen. Phys. Rev., 178, 1358 (1969)
  5. P.M. Lee. Phys. Rev., 135, A1110 (1964)
  6. F. Aymerich, G. Mula. Phys. St. Sol., 42, 697 (1970)
  7. D.M. Wood, A. Zunger. Phys. Rev. B, 34, 4105 (1986)
  8. B. Arnaud, M. Alouani. Phys. Rev. B, 62, 4464 (2000)
  9. B. Arnaud, M. Alouani. Phys. Rev. B, 64, 033202-1 (2001)
  10. A. Vantomme, G. Langouche, J.E. Mahan, J.P. Becker. Microelectronic Engin., 50, 237 (2000)
  11. L. Hsu, G.Y. Guo, J.D. Denlinger, J.W. Allen. Phys. Rev. B, 63, 155105-1 (2001)
  12. P. Blaha, K. Schwarz. J. Luitz: WIEN 97, Vienna Univ. of Technology, 1997. [Improved and updated Unix version of the original copyrighted WIEN-code. P. Blaha, K. Schwarz, P. Sorantin, S.B. Trickey. Comput. Phys. Commun., 59, 399 (1990).]
  13. C.S. Wang, B.M. Klein. Phys. Rev. B, 24, 3393 (1981)
  14. N.O. Folland. Phys. Rev., 158, 764 (1967)
  15. R.J. LaBotz, D.R. Mason, D.F. O'Kane. J. Electrochem. Soc., 110, 127 (1963)
  16. Г.Л. Бир, Г.Г. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
  17. M.M. Rieger, P. Vogl. Phys. Rev. B, 48, 14 276 (1993)
  18. W.B. Whitten, P.L. Chung, G.C. Danielson. J. Phys. Chem. Sol., 26, 49 (1965)
  19. P.L. Chung, W.B. Whitten, G.C. Danielson. J. Phys. Cehm. Sol., 26, 1753 (1965)
  20. А.Л. Ивановский. Неорг. матер., 26, 1226 (1990)
  21. A.B. Filonov, D.B. Migas, V.L. Shaposhnikov, N.N. Dorozhkin, G.V. Petrov, V.E. Borisenko, W. Henrion, H. Lange. J. Appl. Phys., 79, 7708 (1996)
  22. M. Alouani, J.M.Wills. Phys. Rev. B, 54, 2480 (1996)
  23. A.R. Goni, K. Syassen, M. Cardona. Phys. Rev. B, 41, 10 104 (1990)
  24. Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках (М., Мир, 1973)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.