Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Зонная структура полупроводниковых соединений Mg2Si и Mg2Ge с напряженной кристаллической решеткой
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь 
Поступила в редакцию: 19 сентября 2001 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2002 г.
Теоретическим моделированием с помощью метода линейных присоединенных плоских волн исследовано изменение зонной структуры непрямозонных полупроводников Mg2Si и Mg2Ge при изотропной и одноосной деформации их кристаллических решеток. Обнаружено, что уменьшение постоянной решетки до 95% приводит к линейному увеличению энергетического зазора для прямого перехода в силициде магния на 48%, в то время как величина энергетического зазора для непрямого перехода уменьшается вплоть до перекрытия, характерного для бесщелевых полупроводников. Напряжения, возникающие вследствие одноосных деформаций, не только смещают зоны, но и приводят к расщеплению вырожденных состояний. Изменения величин межзонных переходов в этом случае носят нелинейный характер.
- Semiconducting Silicidies, ed. by V.E. Borisenko (Berlin, Springer, 2000)
- W.J. Scouler. Phys. Rev., 178, 1353 (1969).
- F. Vazquez, R.A. Forman, M. Cardona. Phys. Rev., 176, 905 (1968)
- Y. Au-Yang, M.L. Cohen. Phys. Rev., 178, 1358 (1969)
- P.M. Lee. Phys. Rev., 135, A1110 (1964)
- F. Aymerich, G. Mula. Phys. St. Sol., 42, 697 (1970)
- D.M. Wood, A. Zunger. Phys. Rev. B, 34, 4105 (1986)
- B. Arnaud, M. Alouani. Phys. Rev. B, 62, 4464 (2000)
- B. Arnaud, M. Alouani. Phys. Rev. B, 64, 033202-1 (2001)
- A. Vantomme, G. Langouche, J.E. Mahan, J.P. Becker. Microelectronic Engin., 50, 237 (2000)
- L. Hsu, G.Y. Guo, J.D. Denlinger, J.W. Allen. Phys. Rev. B, 63, 155105-1 (2001)
- P. Blaha, K. Schwarz. J. Luitz: WIEN 97, Vienna Univ. of Technology, 1997. [Improved and updated Unix version of the original copyrighted WIEN-code. P. Blaha, K. Schwarz, P. Sorantin, S.B. Trickey. Comput. Phys. Commun., 59, 399 (1990).]
- C.S. Wang, B.M. Klein. Phys. Rev. B, 24, 3393 (1981)
- N.O. Folland. Phys. Rev., 158, 764 (1967)
- R.J. LaBotz, D.R. Mason, D.F. O'Kane. J. Electrochem. Soc., 110, 127 (1963)
- Г.Л. Бир, Г.Г. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
- M.M. Rieger, P. Vogl. Phys. Rev. B, 48, 14 276 (1993)
- W.B. Whitten, P.L. Chung, G.C. Danielson. J. Phys. Chem. Sol., 26, 49 (1965)
- P.L. Chung, W.B. Whitten, G.C. Danielson. J. Phys. Cehm. Sol., 26, 1753 (1965)
- А.Л. Ивановский. Неорг. матер., 26, 1226 (1990)
- A.B. Filonov, D.B. Migas, V.L. Shaposhnikov, N.N. Dorozhkin, G.V. Petrov, V.E. Borisenko, W. Henrion, H. Lange. J. Appl. Phys., 79, 7708 (1996)
- M. Alouani, J.M.Wills. Phys. Rev. B, 54, 2480 (1996)
- A.R. Goni, K. Syassen, M. Cardona. Phys. Rev. B, 41, 10 104 (1990)
- Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках (М., Мир, 1973)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
