"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Спектры глубоких уровней в слоях ZnTe : Cr2+, полученных эпитаксией из молекулярных пучков
Садофьев Ю.Г.1, Коршков М.В.2
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2Рязанская государственная радиотехническая академия, Рязань, Россия
Поступила в редакцию: 25 сентября 2001 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2002 г.

Выращенные методом эпитаксии из молекулярных пучков на подложках GaAs (001) слои ZnTe : Cr2+, легированные хромом как из металлического источника, так и из соединения CrI3, исследованы методом токовой спектроскопии глубоких уровней. Спектры показали наличие глубокого уровня с энергией активации (1.09±0.03) эВ, связанного с центром, возникшим в результате перехода Cr2+-C+ под действием электрического поля. Легирование хромом из соединения CrI3 приводит к исчезновению ряда характерных для эпитаксиальных слоев ZnTe точечных дефектов, при этом уровень загрязнения выращиваемых пленок йодом значителен.
  1. L.D. De Loach, R.H. Page et al. IEEE J. Quant. Electron., 32, 885 (1996)
  2. G.J. Wagner, T.J. Carrig, R.H. Page, K.I. Schaffers, J.O. Ndap, X. Ma, A. Burger. Optics Lett., 24, 19 (1999)
  3. Yu.G. Sadofyev, V.F. Pevtsov, E.M. Dianov, P.A. Trubenko, M.V. Korshkov. 19th NA Conf. on MBE (Tempe, AZ, 2000) p. 42
  4. H. Tubota. J. Appl. Phys., 1, 259 (1973)
  5. C.B. Norris. J. Appl. Phys., 53, 5171 (1982)
  6. П.С. Киреев, А.Г. Корницкий, В.Н. Мартынов, Ю.В. Платонов, А.В. Ванюков. ФТП, 4, 900 (1970)
  7. M. Godlewsky, M. Kaminska. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 13, 6537 (1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.