"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности определения концентраций мелких примесей в полупроводниках из анализа спектров экситонной люминесценции
Глинчук К.Д.1, Прохорович А.В.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 10 января 2001 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2002 г.

Проанализированы пределы применимости метода определения содержания мелких акцепторов и доноров в полупроводниках из соотношений низкотемпературных (T=1.8-4.2 K) интенсивностей полос экситонной люминесценции, обусловленных, в частности, излучательной аннигиляцией связанных на них и свободных экситонов. Показано, что корректные данные о концентрациях мелких акцепторов и доноров и изменении их содержания при различных воздействиях могут быть получены, если заполнение рассматриваемых дефектов дырками и электронами не зависит от интенсивности возбуждения люминесценции и приложенных внешних воздействий. Указаны способы проверки выполнения критериев корректности применения метода. Приведен пример использования метода для определения термически стимулированных изменений концентраций мелких акцепторов и доноров в арсениде галлия.
  1. В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников (Киев, Наук. думка, 1987)
  2. T. Taguchi, J. Shiraruji, Y. Inuishi. Phys. St. Sol. (b), 68, 727 (1975)
  3. T. Shmidt, K. Lischka, W. Zulehner. Phys. Rev. B, 45, 8989 (1992)
  4. M. Tajima. Appl. Phys. Lett., 32, 719 (1978)
  5. H. Nakayama, T. Nishino, Y. Hamakawa. Japan. J. Appl. Phys., 19, 501 (1980)
  6. А.С. Каминский, Л.И. Колесник, Б.М. Лейферов, Я.Е. Покровский. ЖПС, 36, 745 (1982)
  7. Б.М. Лейферов, А.Г. Либинсон. Высокочистые вещества, N 1, 147 (1987)
  8. S. Ambros, W. Kamp, K. Wolter, M. Weyers, H. Heinecke, H. Kurz, P. Balk. J. Appl. Phys., 64, 5098 (1988)
  9. H.F. Pen, F.A. Driessen, S.M. Olsthoorn, L.J. Giling. Semicond. Sci. Technol., 7, 1400 (1992)
  10. К.Д. Глинчук, Н.М. Литовченко, О.Н. Стрильчук, А.В. Прохорович. ФТП, 34, 530 (2000)
  11. К.Д. Глинчук, Н.М. Литовченко, О.Н. Стрильчук, А.В. Прохорович. ФТП, 34, 1311 (2000)
  12. Z.H. Lu, M.C. Hanna, D.M. Szmyd, E.G. Oh, A. Mejerfeld. Appl. Phys. Lett., 56, 177 (1990)
  13. К.С. Журавлев, А.К. Калагин, Н.Т. Мешегов, А.И. Торопов, Т.С. Шамирзаев. ФТП, 30, 1704 (1996)
  14. С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Физматгиз, 1963)
  15. В.Е. Лашкарев, А.В. Любченко, М.К. Шейнкман. Неравновесные процессы в фотопроводниках (Киев, Наук. думка, 1981).
  16. К.Д. Глинчук, Н.М. Литовченко, О.Н. Стрильчук, А.В. Прохорович. В сб.: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника (Киев, Наук. думка, 2000) вып. 35, с. 176
  17. Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках (М., Мир, 1973)
  18. M.J. Papastamation, G.L. Papaioannae. J. Appl. Phys., 68, 1094 (1990)
  19. И.А. Карпович, М.В. Степихова. ФТП, 30, 1785 (1996)
  20. V. Kazukauskas. Appl. Phys. A, 60, 509 (1995)
  21. Н.М. Литовченко, Л.Г. Шепель. В сб.: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника (Киев, Наук. думка, 1995) вып. 29, с. 108
  22. К.Д. Глинчук, Н.М. Литовченко, О.Н. Стрильчук, А.В. Прохорович. ФТП, 35, 537 (2001).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.