Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Нелинейная фотолюминесценция варизонных твердых растворов Al_xGa_1-xAs

Ковaленко В.Ф.¹, Миронченко А.Ю.¹, Шутов С.В.¹

¹Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Херсон, Украина

Поступила в редакцию: 2 июля 2001 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2002 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изучены зависимости интенсивности фотолюминесценции нелегированных и легированных варизонных твердых растворов Al_xGa_1-xAs (x=<sssim 0.36) от уровня возбуждения J (10¹⁹=<sssim J=<sssim 10²² квант/см²c) при различных значениях встроенного электрического поля E=e^-1nabla E_g (85=<sssim E=<sssim 700 В/см). Установлено, что при ускоряющем действии поля E зависимость интенсивности краевой фотолюминесценции (I) от уровня возбуждения (J) имеет сложный характер. Нелинейность зависимости I(J) объясняется вкладом двухфотонного поглощения фотолюминесцентного излучения при его переизлучении. Существует оптимальный диапазон значений E (120=<sssim E=<sssim200 В/см), обеспечивающих наибольший вклад двухфотонного поглощения в процесс переизлучения в нелегированных твердых растворах.

Г.П. Пека, В.Ф. Коваленко, А.Н. Смоляр. Варизонные полупроводники (Киев, Вища шк. 1989)
Г.В. Царенков. ФТП, 13 (6) 1095 (1979)
R.I. Roedel,V.G. Keramidas. Photon recycling in Ga_1-xAl_xAs: Si graded band gap LED's. J. Appl. Phys., 50 (10), 6353 (1979)
А.С. Волков, А.Л. Липко. ФТП, 16 (3), 412 (1982)
А.С. Волков, А.Л. Липко, С.А. Никишин, Б.В. Царенков, Г.В. Царенков. Письма ЖТФ, 5 (7), 655 (1979)
А.И. Базык, В.Ф. Коваленко, А.Ю. Миронченко, С.В. Шутов. ФТП, 35 (1), 53 (2001)
В.Ф. Коваленко, А.Ю. Миронченко, С.В. Шутов. ФТП, 36 (2), 192 (2002)
А.И. Базык, В.Ф. Коваленко, Г.П. Пека. УФЖ, 27 (7), 1007 (1982)
А.И. Базык, В.Ф. Коваленко, Г.П. Пека О.Д. Токалин. ЖПС, 42 (10), 441 (1985)
Излучательная рекомбинация в полупроводниках, под ред. Я.Е. Покровского (М., Наука, 1972)
В.П. Грибковский. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках (Минск, Наука и техника, 1975)
M. Konagai, K.J. Takahashi. Appl. Phys., 46, 3542 (1975)
Ф.П. Кесаманлы, В.Ф. Коваленко, И.Е. Марончук, Г.П. Пека, Л.Г. Шепель. ФТП, 12 (7), 1318 (1978)
Н.К. Дряпико, В.Ф. Коваленко, Г.П. Пека. ФТП, 17 (5), 863 (1983)
K.D. Glinchuk, A.V. Prohorovich, V.E. Rodionov, V.I. Vovnenko. Phys. St. Sol. (a), 48, 593 (1978)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель