"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Управление характером токопереноса в барьере Шоттки с помощью delta-легирования: расчет и эксперимент для Al/GaAs
Шашкин В.И.1, Мурель А.В.1, Данильцев В.М.1, Хрыкин О.И.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 15 октября 2001 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2002 г.

Рассматривается возможность управления эффективной высотой барьера в диодах Шоттки при введении delta-легированного слоя вблизи контакта металл--полупроводник. Уменьшение эффективной высоты барьера связано с возрастанием роли туннелирования носителей через барьер. Для барьеров Шоттки к n-GaAs проведен полный квантово-механический численный расчет влияния параметров delta-слоя (концентрации и глубины залегания) на вольт-амперные характеристики модифицированных диодов. Сравнение полученных расчетных результатов с экспериментальными характеристиками диодов, изготовленных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, показывает достаточно хорошее согласие. Анализ проведенных исследований позволил выбрать оптимальные параметры delta-слоев для получения низкобарьерных диодов (~ 0.2 эВ) с удовлетворительным коэффициентом неидеальности (n=<q 1.5). На основе таких структур возможно изготовление микроволновых диодов для детектирования без смещения.
  1. Э.Х. Родерик. Контакты металл--полупроводник (М., Радио и связь, 1982)
  2. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) ч. 1
  3. G. Myburg, F.D. Auret, W.E. Meyer, C.W. Louw, M.J. van Staden. Thin Sol. Films, 325, 181 (1998)
  4. Т.А. Брянцева, В.Е. Любченко, Е.О. Юневич. Радиотехника и электроника, N 8, 1306 (1995)
  5. В.И. Шашкин, А.В. Мурель, Ю.Н. Дроздов, В.М. Данильцев, О.И. Хрыкин. Микроэлектроника, 26, 57 (1997)
  6. S. Sassen, B. Witzigmann, C. Wolk, H. Brugger. IEEE Trans. Electron. Dev., 47, 24 (2000)
  7. E.F. Schubert, J.E. Cunnighum, W.S. Tsang, T.H. Chiu. Appl. Phys. Lett., 49, 292 (1986)
  8. M. Missous, T. Taskin. Semicond. Sci. Technol., 8, 1848 (1993)
  9. R.K. Kupka, W.A. Anderson. J. Appl. Phys., 69, 3623 (1991)
  10. J.M. Geraldo, W.N. Podrigues, G. Medeiros-Ribeiro, A.G. de Oliveira. J. Appl. Phys., 73, 820 (1993)
  11. Туннельные явления в твердых телах (М., Мир, 1973) [Пер. с англ.: Tunneling Phenomena in Solids, ed. by E. Burstein, S. Lundqvist (N. Y., Plenum Press, 1969)]
  12. V.I. Shashkin, V.M. Daniltsev, O.I. Khrykin, A.V. Murel, Yu.I. Chechenin, A.V. Shabanov. Proc. Int. Semicond. Dev. Res. Symp. (ISDRS ) (Charlottseville, USA, 1997) p. 147
  13. В.И. Шашкин, В.Л. Вакс, Е.А. Вопилкин, В.М. Данильцев, А.В. Мурель, А.В. Масловский, О.И. Хрыкин, Ю.И. Чеченин. Матер. 7-й Росс. конф. " Арсенид галлия" (Томск, 1999) с. 175
  14. I.H. Tan, G.L. Snider, E.L. Hu. J. Appl. Phys., 68, 4071 (1990)
  15. В.Я. Алешкин, В.М. Данильцев, А.В. Мурель, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин. ФТП, 32, 733 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.