"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности электронного дрейфа в субмикронных GaAs-структурах
Гергель В.А.1, Кулькова Е.Ю.1, Мокеров В.Г.1, Тимофеев М.В.1, Хренов Г.Ю.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 10 июля 2001 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2002 г.

С помощью развитой квазигидродинамической модели субмикронного полевого транзистора исследовано влияние эффекта всплеска дрейфовой скорости на характер насыщения тока стока. Показано, что в субмикронных транзисторных структурах на основе многодолинных полупроводников насыщение тока стока определяется насыщением скорости дрейфа электронов в канале, обусловленным эффективным междолинным рассеянием. Показано также, что максимальная скорость дрейфа электронов в канале обратно пропорциональна длине затвора транзистора.
  1. M. Feng, C.L. Lau, V. Eu. IEEE Electron. Dev. Lett., 12, 40 (1991)
  2. Н.А. Баннов, Г.Ю. Хренов. Тр. ФТИАН СССР, 1, 11 (1989)
  3. T. Enoki, S. Sugitani, Y. Yamane. IEEE Trans. Electron. Dev., 37, 935 (1990)
  4. В.А. Гергель, В.Г. Мокеров, М.В. Тимофеев, Ю.В. Федоров. ФТП, 34, 239 (2000)
  5. А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников (М., Наука, 1978) с. 467
  6. W. Fawcett, D.A. Boardman, S. Swain. J. Phys. Chem. Sol., 31, 1963 (1970)
  7. В.А. Николаева, В.Д. Пищалко, В.И. Рыжий, Г.Ю. Хренов, Б.Н. Четверушкин. Микроэлектроника, 17, 504 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.