"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние адсорбции на электрофизические свойства структур на основе окисленного пористого кремния
Биленко Д.И.1, Белобровая О.Я.1, Жаркова Э.А.1, Мысенко И.Б.1, Хасина Е.И.1
1Научно-исследовательский институт механики и физики при Саратовском государственном университете им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Поступила в редакцию: 27 августа 2001 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2002 г.

Изучено влияние адсорбции полярных молекул сероводорода, ацетона на вольт-амперные характеристики и временные зависимости тока структур на основе окисленного пористого кремния типа <Pd-ПКО-p+-Si-Al>. Получены структуры двух видов: с барьером Шоттки и с токами, ограниченными пространственным зарядом. Обнаружено наличие положительного объемного заряда у палладиевого электрода, который определяет вольт-амперные характеристики в области V<0.2 В и его существенное изменение с газом. Найдены параметры слоя окисленного пористого кремния и рабочие напряжения, при которых наблюдается наиболее существенное влияние газа. Максимальное изменение тока до ~ 103 раз при воздействии сероводорода концентрацией ~ 10 ppm получено на структурах с барьером Шоттки при обратном напряжении, близком к обратимому пробою. Полученные результаты объясняются перезарядкой ловушек, о чем свидетельствует сдвиг уровня Ферми, и снижением барьера Шоттки при адсорбции полярных молекул.
  1. M. Ben-Chorin, F. Moller, F. Koch. J. Appl. Phys., 77, 4482 (1995)
  2. M. Ben-Chorin, F. Moller, F. Koch. Phys. Rev. B, 49, 2981 (1995)
  3. M. Ben-Chorin, A. Kux, I. Schecter. Appl. Phys. Lett., 64, 481 (1994)
  4. D. Stivenard, D. Deresmes. Appl. Phys. Lett., 67, 1570 (1995)
  5. С.П. Зимин. ФТП, 34, 59 (2000)
  6. С.В. Слободчиков, Х.М. Салихов, Е.В. Руссу. ФТП, 32, 1073 (1998)
  7. С.В. Слободчиков, Х.М. Салихов, Е.В. Руссу. ФТП, 31, 15 (1997)
  8. D.I. Bilenko, O.Ya. Belobrovaya, E.A. Jarkova, O.Yu. Coldobanova, I.B. Mysenko, E.I. Khasina. Sensors and Actuators A, 62, 621 (1997)
  9. D.I. Bilenko, O.Ya. Belobrovaya, E.A. Jarkova, O.Yu. Coldobanova, I.B. Mysenko, E.I. Khasina, V.P. Polyanskaya, T.E. Melnikova, V.V. Smirnov, G.O. Filippova. Sensors and Actuators A, 79, 147 (2000)
  10. В.М. Демидович, Г.Б. Демидович, С.Н. Козлов, А.А. Петров. Письма ЖТФ, 24 (2), 27 (1998)
  11. М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973) с. 416
  12. С.В. Слободчиков, Х.М. Салихов, Е.В. Руссу, М.М. Мередов, Л.И. Язлиева. ФТП, 29, 1517 (1995)
  13. K. Mackenzie, P. LeComber, W. Spear. Phil. Mag. B, 46, 377 (1982)
  14. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1, с. 453
  15. Э.И. Адирович. Токи двойной инжекции в полупроводниках (М., Наука, 1978) с. 200
  16. А.Н. Лаптев, А.В. Проказников, Н.А. Рудь. Письма ЖТФ, 26 (23), 47 (2000)
  17. M.S. Shivaraman. J. Appl. Phys., 47, 3592 (1976)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.