Влияние адсорбции на электрофизические свойства структур на основе окисленного пористого кремния
Биленко Д.И.1, Белобровая О.Я.1, Жаркова Э.А.1, Мысенко И.Б.1, Хасина Е.И.1
1Научно-исследовательский институт механики и физики при Саратовском государственном университете им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Поступила в редакцию: 27 августа 2001 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2002 г.
Изучено влияние адсорбции полярных молекул сероводорода, ацетона на вольт-амперные характеристики и временные зависимости тока структур на основе окисленного пористого кремния типа <Pd-ПКО-p+-Si-Al>. Получены структуры двух видов: с барьером Шоттки и с токами, ограниченными пространственным зарядом. Обнаружено наличие положительного объемного заряда у палладиевого электрода, который определяет вольт-амперные характеристики в области V<0.2 В и его существенное изменение с газом. Найдены параметры слоя окисленного пористого кремния и рабочие напряжения, при которых наблюдается наиболее существенное влияние газа. Максимальное изменение тока до ~ 103 раз при воздействии сероводорода концентрацией ~ 10 ppm получено на структурах с барьером Шоттки при обратном напряжении, близком к обратимому пробою. Полученные результаты объясняются перезарядкой ловушек, о чем свидетельствует сдвиг уровня Ферми, и снижением барьера Шоттки при адсорбции полярных молекул.
- M. Ben-Chorin, F. Moller, F. Koch. J. Appl. Phys., 77, 4482 (1995)
- M. Ben-Chorin, F. Moller, F. Koch. Phys. Rev. B, 49, 2981 (1995)
- M. Ben-Chorin, A. Kux, I. Schecter. Appl. Phys. Lett., 64, 481 (1994)
- D. Stivenard, D. Deresmes. Appl. Phys. Lett., 67, 1570 (1995)
- С.П. Зимин. ФТП, 34, 59 (2000)
- С.В. Слободчиков, Х.М. Салихов, Е.В. Руссу. ФТП, 32, 1073 (1998)
- С.В. Слободчиков, Х.М. Салихов, Е.В. Руссу. ФТП, 31, 15 (1997)
- D.I. Bilenko, O.Ya. Belobrovaya, E.A. Jarkova, O.Yu. Coldobanova, I.B. Mysenko, E.I. Khasina. Sensors and Actuators A, 62, 621 (1997)
- D.I. Bilenko, O.Ya. Belobrovaya, E.A. Jarkova, O.Yu. Coldobanova, I.B. Mysenko, E.I. Khasina, V.P. Polyanskaya, T.E. Melnikova, V.V. Smirnov, G.O. Filippova. Sensors and Actuators A, 79, 147 (2000)
- В.М. Демидович, Г.Б. Демидович, С.Н. Козлов, А.А. Петров. Письма ЖТФ, 24 (2), 27 (1998)
- М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973) с. 416
- С.В. Слободчиков, Х.М. Салихов, Е.В. Руссу, М.М. Мередов, Л.И. Язлиева. ФТП, 29, 1517 (1995)
- K. Mackenzie, P. LeComber, W. Spear. Phil. Mag. B, 46, 377 (1982)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1, с. 453
- Э.И. Адирович. Токи двойной инжекции в полупроводниках (М., Наука, 1978) с. 200
- А.Н. Лаптев, А.В. Проказников, Н.А. Рудь. Письма ЖТФ, 26 (23), 47 (2000)
- M.S. Shivaraman. J. Appl. Phys., 47, 3592 (1976)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук