"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Долговременные изменения электрических и фотоэлектрических характеристик диодных структур Pd--p-InP
Слободчиков С.В.1, Салихов Х.М.1, Руссу Е.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 августа 2001 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2002 г.

Исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики диодных структур Pd--p-InP после многолетней выдержки на воздухе. Выявлено увеличение высоты барьера Шоттки на 0.2--0.3 эВ и рост фоточувствительности. Механизм токопереноса определяется генерационно-рекомбинационным током и туннелированием через уровни 0.28 и 0.40 эВ. Предполагается, что эти примесные центры находятся в приповерхностном слое p-InP у гетерограницы с Pd.
  1. M.М. Мередов, Г.Г. Ковалевская, Е.В. Руссу, С.В. Слободчиков. ФТП, 26 (9), 1590 (1992)
  2. Г.Г. Ковалевская, Л. Кратена, М.М. Мередов, А.М. Маринова, С.В. Слободчиков. Письма ЖТФ, 15 (12), 55 (1989)
  3. Г.Г. Ковалевская, М.М. Мередов, Е.В. Руссу, Х.М. Салихов, С.В. Слободчиков, В.М. Фетисова. ФТП, 26 (19), 1750 (1992)
  4. E. Hokelek, G.J. Robinson. Appl. Phys. Lett., 40, 426 (1982)
  5. N. Tabatabaie, G.E. Stillman. Appl. Phys. Lett., 40 (5), 415 (1982)
  6. С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Физматгиз, 1963) гл. 6, с. 192
  7. З.С. Грибников. РЭ, 10(6), 1110 (1965)
  8. И.П. Жадько, В.В. Романов. ФТП, 12 (9), 1789 (1978)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.