"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Анализ и уточнение математического аппарата для модифицированного времяпролетного метода
Вихров С.П.1, Вишняков Н.В.1, Маслов А.А.1, Мишустин В.Г.1
1Рязанская государственная радиотехническая академия (кафедра Микроэлектроники), Рязань, Россия
Поступила в редакцию: 29 августа 2001 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2002 г.

Теоретически обоснована модифицированная времяпролетная методика для непосредственного измерения и получения профиля электрического поля в области пространственного заряда контакта типа Шоттки. Методика разработана для неупорядоченных полупроводников, таких как аморфный гидрогенизированный кремний. Проведено уточнение математического аппарата для расчета профиля поля, проведен анализ полученных результатов и показаны пределы применения модифицированной времяпролетной методики.
  1. Г.Б. Юшка, Э.А. Монтримас. Лит. физ. сб., 32, 612 (1992)
  2. А. Меден, М. Шо. Физика и применение аморфных полупроводников (М., Мир, 1991)
  3. Т. Тиджи. Физика гидрогенизированного кремния; вып. II Электронные и колебательные свойства (М., Мир, 1988)
  4. R.A. Street. Phys. Rev. B, 27, 4924 (1983)
  5. R.A. Street, M.J. Thompson, N.M. Johnson. Phil. Mag. B, 51, 1 (1985)
  6. Л.П. Павлов. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов (М., Высш. шк., 1987)
  7. С.П. Вихров, Н.В. Вишняков, А.А. Маслов. Изв. вузов. Электроника, 3, 48 (2000)
  8. О.А. Голикова, М.М. Казанин. ФТП, 33, 110 (1999)
  9. О.А. Голикова, М.М. Казанин. ФТП, 33, 336 (1999)
  10. В.П. Афанасьев, А.С. Гудовских, О.И. Коньков, М.М. Казанин, К.В. Коугия, А.П. Сазанов, И.Н. Трапезникова, Е.И. Теруков. ФТП, 34, 492 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.