"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Причины изменения статических вольт-амперных характеристик структур с барьером Шоттки Me/n-n+-GaAs при гидрогенизации
Торхов Н.А.1
1Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 19 июня 2001 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2002 г.

Исследованы причины уменьшения показателя идеальности n и увеличения обратного напряжения Ur структур с барьером Шоттки Au/n-n+-GaAs в результате обработки в атомарном водороде. Установлено, что вследствие обработки n-n+-GaAs в атомарном водороде существуют два процесса, приводящих к увеличению обратного напряжения Ur и уменьшению коэффициента идеальности n структур с барьером Шоттки. В первом случае увеличение Ur и уменьшение n происходит в результате понижения концентрационного профиля и образования обратного градиента концентрации ионизированной мелкой донорной примеси в n-слое, что вызвано пассивацией примеси водородом. Во втором случае увеличение Ur и уменьшение n связано с образованием тонкого (~8 нм) полуизолирующего приповерхностного слоя. В обоих случаях увеличение Ur и уменьшение n вызвано увеличением эффективной ширины потенциального барьера на контакте металл--полупроводник в результате изменения формы концентрационного профиля ионизированной мелкой донорной примеси.
  1. S.J. Pearton, E.E. Haller, A.G. Elliot. Appl. Phys. Lett., 44, 684 (1984)
  2. S.J. Pearton. J. Electron. Mater., 14A, 737 (1985)
  3. Э.М. Омельяновский, А.В. Пахомов, А.Я. Поляков. ФТП, 21 (5), 842 (1987)
  4. H.-Y. Nie, Y. Nanichi. J. Appl. Phys., 76 (7), 4205 (1994)
  5. S.J. Pearton, W.C. Dautremont-Smith, J. Chevallier, C.W. Tu, K.D. Cummings. J. Appl. Phys., 59 (8), 2821 (1986)
  6. R.L. Van Meirhaeghe, W.H. Laflere, F. Cardon. J. Appl. Phys., 76 (1), 403 (1994)
  7. A. Paccagnella, A. Callegari, E. Latta, M. Gasser. Appl. Phys. Lett., 55, 259 (1989)
  8. U.K. Chakrabarti, S.J. Pearton, W.S. Hobson, J. Lopata, V. Swaminathan. Appl. Phys. Lett., 57 (9), 887 (1990)
  9. В.Г. Божков, В.А. Кагадей, Н.А. Торхов. ФТП, 33 (11), 1343 (1998)
  10. Н.А. Торхов, С.В. Еремеев. ФТП, 34 (2), 186 (2000)
  11. Y.G. Wang, S. Ashok. J. Appl. Phys., 75 (5), 2447 (1994)
  12. Н.А. Торхов, С.В. Еремеев. ФТП, 33 (10), 1209 (2000)
  13. Н.А. Торхов, В.Г. Божков, В.А. Кагадей, И.В. Ивонин. Тез. докл. второй международной конф. "Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах" (Россия, Максимиха, 2000) с. 86
  14. A. Watanabe, M. Unno, F. Hojo, T. Miwa. Japan. J. Appl. Phys., 10A (2), 961 (2000)
  15. Н.А. Торхов, С.В. Еремеев. ФТП, 34 (1), 106 (2000)
  16. Н.А. Торхов. ФТП, 35 (7), 823 (2001)
  17. А.В. Панин, Н.А. Торхов. ФТП, 34 (6), 698 (2000)
  18. D. Mui, S. Strite, H. Morkoc. Sol. St. Electron., 34 (10), 1077 (1991)
  19. Modern Semiconductor Device Physics, ed. by S.M. Sze (John Wiley \& Sons Inc., 1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.