Вышедшие номера
Причины изменения статических вольт-амперных характеристик структур с барьером Шоттки Me/n-n+-GaAs при гидрогенизации
Торхов Н.А.1
1Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 19 июня 2001 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2002 г.

Исследованы причины уменьшения показателя идеальности n и увеличения обратного напряжения Ur структур с барьером Шоттки Au/n-n+-GaAs в результате обработки в атомарном водороде. Установлено, что вследствие обработки n-n+-GaAs в атомарном водороде существуют два процесса, приводящих к увеличению обратного напряжения Ur и уменьшению коэффициента идеальности n структур с барьером Шоттки. В первом случае увеличение Ur и уменьшение n происходит в результате понижения концентрационного профиля и образования обратного градиента концентрации ионизированной мелкой донорной примеси в n-слое, что вызвано пассивацией примеси водородом. Во втором случае увеличение Ur и уменьшение n связано с образованием тонкого (~8 нм) полуизолирующего приповерхностного слоя. В обоих случаях увеличение Ur и уменьшение n вызвано увеличением эффективной ширины потенциального барьера на контакте металл-полупроводник в результате изменения формы концентрационного профиля ионизированной мелкой донорной примеси.