Вышедшие номера
Повышение квантового выхода инфракрасного излучения в узкощелевых полупроводниках в упругонапряженном состоянии
Гасан-заде С.Г.1, Стриха М.В.1, Старый С.В.1, Шепельский Г.А.1, Бойко В.А.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 8 мая 2001 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2002 г.

В узкощелевых полупроводниках с прямой запрещенной зоной в упругонапряженном состоянии темп межзонной излучательной рекомбинации за счет трансформации валентной зоны увеличивается. С другой стороны, интенсивность межзонных безызлучательных переходов (оже-рекомбинация) при этом резко ослабляется. В результате квантовый выход инфракрасного излучения в области межзонных переходов может быть существенно повышен и, как показывает расчет, в пределе стремится к значениям, близким к единице. Экспериментальные результаты получены на кристаллах антимонида индия в условиях сильного возбуждения.