"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности оптическиx свойств твердых растворов AlxGa1-xN
Дейбук В.Г.1, Возный А.В.1, Слетов М.М.1, Слетов А.М.1
1Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 3 сентября 2001 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2002 г.

В оптических спектрах отражения тонких пленок Al0.1Ga0.9N, осажденных на подложки из сапфира, наблюдались особенности в области 4.0--5.5 эВ, что подтверждается модуляционными спектрами и спектрами фоточувствительности. Данные особенности можно объяснить на основе учета биаксиальной деформации при расчетах диэлектрической функции в псевдопотенциальном подходе.
  1. Shuji Nakamura. Introduction to Nitride Semiconductor Blue Lasers and Light Emitting Diodes (Taylor \& Francis, London, 2000)
  2. H. Markoc. Nitride Semiconductors and Devices (Springer Verlag, Berlin, 1999)
  3. Data in Science and Technology: Semiconductors, ed. by O. Madelung (Springer Verlag, Berlin, 1991)
  4. L.K. Teles, J. Furthmuller, L.M.R. Scolfaro, J.R. Leite, F. Bechstedt. Phys. Rev. B, 62, 2475 (2000)
  5. D. Volm, K. Oettinger, T. Streibl, D. Kovalev, M. Ben-Chorin, J. Diener, B.K. Meyer, J. Majewski, L. Eckey, A. Hoffmann, H. Amano, I. Akasaki, K. Hiramatsu, T. Detchprohm. Phys. Rev. B, 53, 16 543 (1996)
  6. Z. Yang, Z. Xu. Phys. Rev. B, 54, 17 577 (1996)
  7. А.В. Добрынин, М.М. Слетов, В.В. Смирнов. ЖПС, 55, 861 (1991)
  8. Ю.В. Воробьев, В.И. Добровольский, В.И. Стриха. Методы исследования полупроводников (Киев, Выща школа, 1989)
  9. Ю.В. Жиляев, М.Е. Компан, Е.В. Коненкова, А.С. Мокеев, С.Д. Раевский. Письма ЖТФ, 24 (24), 90 (1998)
  10. А.Н. Георгобиани, Ю.В. Озеров, И.М. Тигиняну. Тр. ФИАН, вып. 163, 3 (1985)
  11. В.Г. Дейбук, А.В. Возный, М.М. Слетов. ФТП, 34, 36 (2000)
  12. T. Matilla, L.-W. Wang, Z. Zunger. Phys. Rev. B, 59, 15 270 (1999)
  13. S. Bloom. J. Phys. Chem. Sol., 32, 2027 (1971)
  14. S. Logotetidis, J. Petalas, M. Cardona, T.D. Moustakas. Phys. Rev. B, 50, 18 017 (1994)
  15. L.X. Benedict, T. Wethkamp, K. Wilmers, C. Cobet, N. Esser, E.L. Shirley, W. Richter, M. Cardona. Sol. St. Commun., 112, 129 (1999)
  16. N.E. Christensen, I. Gorczyca. Phys. Rev. B, 50, 4397 (1994)
  17. M.L. Cohen, J.R. Chelikowsky. Electronic Structure and Optical Properties of Semiconductors (Springer Verlag, Berlin, 1988)
  18. A. Chen, A. Sher. Semiconductor Alloys: Physics and Material Engineering (N. Y., Plenum Press, 1995)
  19. J. Rath, A.J. Freeman. Phys. Rev. B, 11, 2109 (1976)
  20. P. Tronc, Yu.E. Kitaev, G. Wang, M.F. Limonov, A.G. Panfilov, G. Neu. Phys. St. Sol. (b), 216, 599 (1999)
  21. G.L. Bir, G.E. Pikus. Summetry and Strain Induced Effects in Semiconductors (N. Y., John Wiley Sons, 1974)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.