"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Воздействие оптического излучения на внутреннее трение в пьезополупроводниках с глубокими центрами
Митрохин В.И.1, Рембеза С.И.1, Свиридов В.В.2, Ярославцев Н.П.1
1Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия
2Воронежский государственный педагогический университет, Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 30 марта 2001 г.
Выставление онлайн: 20 января 2002 г.

Исследовано воздействие оптического излучения на внутреннее трение, связанное с электронно-механической релаксацией на глубоких уровнях в пьезополупроводниках. Установлено, что поведение внутреннего трения сильно зависит от интенсивности, длины волны излучения и температуры образца. На спектральной зависимости внутреннего трения имеется аномальный пик в области фундаментального поглощения, который ассоциируется с вытеснением области оптического поглощения к облучаемой поверхности. Обнаружен эффект медленной релаксации внутреннего трения после выключения света. Предложена модель, связывающая медленную релаксацию с термическим опустошением центров прилипания.
  1. В.И. Митрохин, С.И. Рембеза, В.В. Свиридов, Н.П. Ярославцев. ФТТ, 27, 2081 (1985)
  2. V.I. Mitrokhin, S.I. Rembeza, V.V. Sviridov, N.P. Yaroslavtsev. Phys. St. Sol. (a), 119, 535 (1990)
  3. А.Н. Александров, М.И. Зотов. Внутреннее трение и дефекты в полупроводниках (М., Наука, 1979)
  4. В.И. Митрохин, Н.П. Ярославцев, С.И. Рембеза, Г.С. Песоцкий, Н.В. Измайлов. А.с. СССР N 1054742, G01N 11/16 (1983)
  5. Э.М. Омельяновский, В.И. Фистуль. Примеси переходных металлов в полупроводниках (М., Металлургия, 1983)
  6. С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Физматгиз, 1963)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.