"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электрофизические свойства слоев кремния, имплантированных ионами иттербия
Александров О.В.1, Захарьин А.О.1, Соболев Н.А.2
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 июня 2001 г.
Выставление онлайн: 20 января 2002 г.

Установлено, что имплантация ионов иттербия с энергией 1 МэВ и дозой 1013 см-2 в кремний и постимплантационный отжиг при температурах 600-1100oC приводят к образованию донорных центров. Концентрация донорных центров выше в образцах, дополнительно имплантированных ионами кислорода. Результаты указывают, что происходит образование по крайней мере двух типов донорных центров, обусловленных примесными атомами иттербия и кислорода. Определена зависимость подвижности электронов от концентрации электрически активных центров в слоях кремния, имплантированных ионами редкоземельной примеси иттербия, в диапазоне концентраций 7· 1015-1017 см-3.
  1. Н.А. Соболев. ФТП, 29, 1153 (1995)
  2. Б.А. Андреев, Н.А. Соболев, Д.И. Курицын, М.И. Маковийчук, Ю.А. Николаев, Е.О. Паршин. ФТП, 33, 420 (1999)
  3. Н.А. Соболев, А.М. Емельянов, Ю.А. Николаев. ФТП, 33, 931 (1999)
  4. F. Priolo, S. Coffa, G. Franzo, C. Spinella, V. Bellani. J. Appl. Phys., 74, 4936 (1993)
  5. О.В. Александров, Н.А. Соболев, Е.И. Шек, А.В. Меркулов. ФТП, 30, 876 (1996)
  6. N.A. Sobolev, O.V. Alexandrov, E.I. Shek. MRS Symp. Proc., 442, 237 (1997)
  7. О.В. Александров, А.О. Захарьин, Н.А. Соболев, Е.И. Шек, М.И. Маковийчук, Е.О. Паршин. ФТП, 32, 1029 (1998)
  8. В.В. Емцев, В.В. Емцев (мл.), Д.С. Полоскин, Н.А. Соболев, Е.И. Шек, Й. Михель, Л.С. Кимерлинг. ФТП, 33, 649 (1999)
  9. D.M. Caughey, R.E. Thomas. Proc. IEEE, 55, 2192 (1967)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.