Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние динамического старения дислокаций на деформационное поведение примесных полупроводников

Петухов Б.В.¹

¹Институт кристаллографии Российской академии наук, Москва, Россия

Поступила в редакцию: 28 февраля 2001 г.

Выставление онлайн: 20 января 2002 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Произведено обобщение теории Александера-Хаазена, описывающей деформационное поведение малодислокационных кристаллов полупроводников, с учетом эффекта динамического старения дислокаций, обусловленного увлечением примесей. Развитая теория объясняет ряд качественных отличий упруго-пластического перехода в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского, от наблюдаемых в более чистых кристаллах. В частности, это касается зависимости высоты зуба текучести от начальной плотности дислокаций и ослабления скоростной чувствительности деформирующего напряжения.

H. Alexander. In: Dislocations in solids, ed. by F.R.N. Nabarro (Amsterdam--Oxford--N. Y.--Tokyo, North-Holland, 1986) v. 7, ch. 35, p. 113
М.Г. Мильвидский, В.В. Освенский. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников (М., Металлургия, 1984)
В.И. Никитенко. В кн.: Динамика дислокаций (Киев, Наук. думка, 1975) с. 7
В.А. Макара. Препринт АН УССР ИПМ-86-2 (Киев, ИЭС им. Е.О. Патона, 1986)
K. Sumino, M. Imai. Phil. Mag., A47, 753 (1983)
Y. Estrin, L.P. Kubin. In: Continuum Models for Materials with Micro-Structure, ed. by H.-B. Mulhaus (N. Y., Wiley \& Sons, Ltd., 1995) p. 395
Ю.Л. Иунин, В.И. Никитенко, В.И. Орлов, Б.Я. Фарбер. ЖЭТФ, 100, 1951 (1991)
A. George, J. Rabier. Rev. Phys. Appl., 22, 941 (1987)
J. Rabier, A. George. Rev. Phys. Appl., 22, 1327 (1987)
H. Alexander, P. Haasen. Sol. St. Phys., 22, 27 (1968)
W.G. Johnston, J.J. Gilman. J. Appl. Phys., 30, 129 (1959)
K. Sumino, I. Yonenaga, H. Harada. Japan. J. Appl. Phys., 51 (1), 217 (1980)
H. Siethoff, P. Haasen. Lattice Defects in Semiconductors, ed. by R. Hasiguti (Tokyo Univ. Press, Tokyo, 1968) p. 491
M. Zaiser, P. Hahner. Phys. St. Sol. (b), 199, 267 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель