"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
"LO-фононная" корреляция между спектром пикосекундной суперлюминесценции и особенностями спектра поглощения света в GaAs при нефермиевском распределении носителей заряда, генерированных пикосекундным импульсом света
Агеева Н.Н.1, Броневой И.Л.1, Кривоносов А.Н.1, Кумеков С.Е.2, Стеганцов С.В.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2Алматинский технологический университет, Алматы, Республика Казахстан
Поступила в редакцию: 8 мая 2001 г.
Выставление онлайн: 20 января 2002 г.

Плотная электронно-дырочная плазма генерировалась в GaAs пикосекундным импульсом света. Во время генерации электронно-дырочной плазмы возникали пикосекундная суперлюминесценция и локальные отклонения спектра поглощения света от рассчитанного для фермиевского распределения электронно-дырочной плазмы. Отклонение в спектральной области усиления света (измеренное усиление меньше расчетного) называлось "дырой", а отклонение в области поглощения света (измеренное поглощение больше расчетного) называлось "выступом". Наблюдалась следующая корреляция. Форма дыры подобна как форме части спектра суперлюминесценции, расположенной в той же спектральной области, что и дыра, так и форме выступа в спектре поглощения. Спектральная ширина выступа, приблизительно равная ширине дыры, и спектральное расположение выступа относительно спектра суперлюминесценции определялись энергией продольного оптического фонона. Описанная корреляция связана с обеднением заселенностей уровней на дне зоны проводимости при суперлюминесценции и приходом электронов на эти уровни путем эмиссии продольных оптических фононов.
  1. I.L. Bronevoi, A.N. Krivonosov, V.I. Perel. Sol. St. Commun., 94, 805 (1995)
  2. D. Hulin, M. Joffre, A. Migus, J.L. Oudar, J. Dubard, F. Alexandre. J. de Phys., 48, 267 (1987)
  3. Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Е.Г. Дядюшкин, Б.С. Явич. Письма ЖЭТФ, 48, 252 (1988)
  4. N.N. Ageeva, I.L. Bronevoi, E.G. Dyadyushkin, V.A. Mironov, S.E. Kumekov, V.I. Perel'. Sol. St. Commun., 72, 625 (1989)
  5. И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов. ФТП, 32, 537 (1998)
  6. Ю.Д. Калафати, В.А. Кокин. ЖЭТФ, 99, 1793 (1991)
  7. И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов. ФТП, 32, 542 (1998)
  8. N.N. Ageeva, I.L. Bronevoi, A.N. Krivonosov. Absrtacts 25th Int. Conf. on Physics of semiconductors, ICPS-25 (Osaka, Japan, Sept. 17--22, 2000) pt 1, D025, p. 49
  9. И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов. ФТП, 33, 13 (1999)
  10. Yu.D. Kalafati, V.A. Kokin, H.M. Van Driel, G.R. Allan. In: Hot Carriers in Semiconductors, ed by Karl Hess et al. (Plenum Press, N.Y., 1996) p. 587; Yu.D. Kalafati, V.A. Kokin. in: Abstracts 25th Conf. on Physics of Semiconductors (2000) pt I, p. 53
  11. E.O. Goebel, O. Hildebrand, K. Lohnert. IEEE J. Quant. Electron., QE-13, 848 (1977)
  12. I.L. Bronevoi, A.N. Krivonosov, T.A. Nalet. Sol. St. Commun., 98, 903 (1996)
  13. Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов. ФТП, 35, 65 (2001)
  14. D. Olego, M. Cardona. Phys. Rev. B, 22, 886 (1980)
  15. S. Tarucha, H. Kobayashi, Y. Horikoshi, H. Okamoto. Jpn. J. Appl. Phys., 23, 874 (1984)
  16. J.S. Blakemore. J. Appl. Phys., 53, R123 (1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.