"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотолюминесцентные свойства поликристаллических солнечных элементов ZnO / CdS / CuInGaSe2 при низкой температуре
Медведкин Г.А.1,2, Теруков Е.И.1, Сато К.2, Хасегава Ю.2, Хиросэ К.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Факультет технологии Токийского университета сельского хозяйства и технологии, 2-24-16 Накачо, Коганэй, Токио 18, Япония
Поступила в редакцию: 26 марта 2001 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2001 г.

Изучательные свойства высокоэффективных тонкопленочных поликристаллических солнечных элементов ZnO / CdS / CuInGaSe2 исследованы при температуре T=20 K. Краевая полоса фотолюминесценции наблюдается в базовом приборе при энергии 1.191 эВ, но исчезает после испытания неинкапсулированного прибора во влажной атмосфере (относительная влажность 85%) при повышенной температуре (85oC). Длинноволновые полосы при 1.13 и 1.07 эВ, связанные с оптическими переходами через уровни дефектов в пленке --- поглотителе, сохраняют интенсивность и спектральное положение. Снижение эффективности преобразования солнечного элемента после испытания обусловлено деградацией верхних широкозонных пленок и гетерограницы между CdS и CuInGaSe2.
  1. H.W. Schock, R. Noufi. Progr. Photovoltaics, 39, 151 (2000)
  2. T. Negami, Y. Hasimoto, S. Nishiwakir. Proc. 11th Int. PVSEC (1999) p. 993
  3. H.S. Ullal, K. Zweibel, B. von Reodern. Proc. 26th IEEE PVSC (1997) p. 301
  4. K. Kushiya, I. Sugiyama, M. Tachiyuki, T. Kase, Y. Nagoya, D. Okumura, M. Sato, O. Yamase, H. Takeshita. Proc. 9th Int. PVSEC (1996) p. 143
  5. J. Kessler, M. Bodeg rd, J. Hedstrom, L. Stolt. Techn. Digest 11th Int. Photovoltaic Science and Engineering Conf. (Sapporo, 1999) p. 631
  6. G.A. Medvedkin, L. Stolt, J. Wennerberg. ФТП, 33, 1037 (1999)
  7. G.A. Medvedkin, J. Wennerberg. Polycrystalline Semiconductors V-Bulk Materials. Thin Films and Devices, Ser. Solid State Phenomena, ed. by J.H. Werner, H.P. Strunk and H.W. Schock (Uettikon am See, Switzerland, Scitech Publ. Ltd., 1999) p. 69
  8. G.A. Medvedkin, J. Wennerberg. 12th Int. Conf. Ternary and Multinary Compounds (Taiwan, 2000) abstr. P2--36 [Japan. J. Appl. Phys., Suppl. 39-1 (2000)]
  9. J. Kessler, M. Bodegard, J. Hedstrom, L. Stolt. Proc. 16th European PVSEC (Glasgow, 2000)
  10. F. Karg, H. Calwer, J. Rimmasch, V. Probst, W. Reidl, W. Stetter, H. Vogt, M. Lampert. Proc. 11th Intern. Conf. Ternary and Multinary Compounds (Salford, 1997) [Inst. Phys. Ser. (Bristol and Philadelphia, IOP Publ.), 152, 909 (1998)]
  11. U. Rau. 12th Int. Conf. Ternary and Multinary Compounds (Taiwan, 2000) abstr. Fr-A1-1 [Japan J. Appl. Phys., Suppl. 39-1 (2000)]
  12. L. Stolt, M. Bodeg rd, J. Hedstrom, J. Kessler, M. Ruckh, K.O. Velthaus, H.W. Schock. Proc. 11th E.C. Photovoltaic Solar Energy Conference (Mountreux, 1992) (Harwood Academic Publisher, Chur 1993) p. 120
  13. G.A. Medvedkin, M.A. Magomedov, J. Appl. Phys., 82, 4013 (1997)
  14. T. Nishi, G.A. Medvedkin, Yu. Katsumata, K. Sato, H. Miyake. Japan. J. Appl. Phys., 40, 59 (2001)
  15. T. Dullweber, G. Hanna, U. Rau, H.W. Schock. Proc. 11th Int. PVSEC (1999) p. 85
  16. S. Choopun, R.D. Vispute, W. Noch, A. Balsamo, R.P. Sharma, T. Venkatesan, A. Iliades, D.C. Look. Appl. Phys. Lett., 75, 3947 (1999)
  17. S. Im, B.J. Jin, S. Yi. J. Appl. Phys., 87, 4558 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.