Исследована структура дна зоны проводимости в поликристаллических и перекристаллизованных пленках n-InSb, выращенных на подложках из диоксида кремния, по зависимости электропроводности от температуры в области собственной проводимости. В неоднородных полупроводниках в области собственной проводимости линейная зависимость Insigma=f(10³/T) может наблюдаться с разными углами наклона. Из средних значений Delta E₁,Delta E₂,...,Delta E_n определена величина уровня протекания, которая составляет в среднем 0.165 эВ для поликристаллических пленок и 0.2 эВ для перекристаллизованных.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.