"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О механизме токопрохождения в пленках n-InSb
Никольский Ю.А.1
1Борисоглебский государственный педагогический институт, Борисоглебск, Россия
Поступила в редакцию: 22 января 2001 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2001 г.

Исследована структура дна зоны проводимости в поликристаллических и перекристаллизованных пленках n-InSb, выращенных на подложках из диоксида кремния, по зависимости электропроводности от температуры в области собственной проводимости. В неоднородных полупроводниках в области собственной проводимости линейная зависимость Insigma=f(103/T) может наблюдаться с разными углами наклона. Из средних значений Delta E1,Delta E2,...,Delta En определена величина уровня протекания, которая составляет в среднем 0.165 эВ для поликристаллических пленок и 0.2 эВ для перекристаллизованных.
  1. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. УФН, 117, 401 (1975)
  2. Е.В. Кучис. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования (М., Наука, 1990)
  3. Ю.А. Никольский. ФТП, 24, 1322 (1990)
  4. Ю.А. Никольский. ФТП, 28, 1972 (1994)
  5. Ю.А. Никольский, С.Е. Зюзин. Вестн. ВГТУ. Сер. Материаловедение (Воронеж, Изд-во ВГТУ, 1998) с. 90
  6. Ю.А. Никольский. В.В. Поляков. Сб. науч. тр. Борисоглебского пед. ин-та (1996) с. 76
  7. В.А. Касьян, П.И. Кетруш, Ю.А. Никольский, Ф.И. Пасечник. Тонкие пленки антимонида индия (Кишинев, Штиница, 1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.