Вышедшие номера
О механизме токопрохождения в пленках n-InSb
Никольский Ю.А.1
1Борисоглебский государственный педагогический институт, Борисоглебск, Россия
Поступила в редакцию: 22 января 2001 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2001 г.

Исследована структура дна зоны проводимости в поликристаллических и перекристаллизованных пленках n-InSb, выращенных на подложках из диоксида кремния, по зависимости электропроводности от температуры в области собственной проводимости. В неоднородных полупроводниках в области собственной проводимости линейная зависимость Insigma=f(103/T) может наблюдаться с разными углами наклона. Из средних значений Delta E1,Delta E2,...,Delta En определена величина уровня протекания, которая составляет в среднем 0.165 эВ для поликристаллических пленок и 0.2 эВ для перекристаллизованных.