"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние примеси висмута на концентрацию носителей тока в эпитаксиальных слоях PbSe : Bi : Se
Зыков В.А.1, Гаврикова Т.А.1, Ильин В.И.1, Немов С.А.1, Савинцев П.В.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 марта 2001 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2001 г.

Исследована зависимость холловской концентрации носителей тока от концентрации висмута n,p=f(NBi) в пленках PbSe : Bi : Se / BaF2. Пленки получены конденсацией в вакууме из двух независимых молекулярных потоков (PbSe : Bi и Se2), которые смешивались непосредственно на поверхности подложки (111)BaF2, нагретой до 350oC. Концентрация висмута NBi в шихте составляла 0-0.3 ат%. На экспериментальной зависимости n,p=f(NBi) выделены два участка. При NBi>0.0375 ат% концентрация электронов близка к NBi; при малых концентрациях висмута (NBi<0.0375 ат%) наблюдается нарушение линейного хода зависимости n=f(NBi) и переход к проводимости дырочного типа. Все исследованные легированные пленки были насыщены селеном. Это условие является обязательным для получения наибольших концентраций электронов в пленках при NBi, соответствующих линейному участку зависимости n=f(NBi). Полученные результаты обсуждаются в рамках термодинамической модели взаимодействия примеси с собственными дефектами в селениде свинца, учитывающей амфотерное поведение Bi в PbSe.
  1. G. Nimtz, B. Sehlieht. Narrow. Gap. lead salts (Springer Verlag, Berlin Heidelbery, N. Y.--Tokyo, 1983)
  2. В.И. Кайданов, С.А. Немов, Ю.И. Равич. ФТП, 28, 360 (1994)
  3. Н.С. Ратова, В.И. Фистуль. ФТП, 4, 1109 (1970)
  4. В.Ф. Мастеров, Ф.С. Насрединов, П.П. Серегин, Н.П. Серегин, А.В. Ермолаев, С.И. Бондаровский. ФТП, 33, 913 (1999)
  5. В.Ф. Мастеров, Ф.С. Насрединов, С.А. Немов, П.П. Серегин, Н.Н. Троицкая, С.И. Бондаровский. ФТП, 33, 1321 (1997)
  6. Н.С. Голованова, В.П. Зломанов, О.И. Тананаева, Л.Д. Личева. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 20 (4), 574 (1984)
  7. T.C. Harman. J. Nonmetals, 1, 183 (1973)
  8. Л.И. Бытенский, В.И. Кайданов, В.П. Максенко, Р.Б. Мельник, С.А. Немов. ФТП, 18, 489 (1984)
  9. Т.А. Гаврикова, В.А. Зыков, С.А. Немов. ФТП, 29, 309 (1995)
  10. A.V. Novoselova, V.P. Zlomanov. Cur. Top. Mater. Sci., 7, 643 (1981)
  11. В.И. Фистуль. Амфотерные примеси в полупроводниках (М., Металлургия, 1992)
  12. Н.В. Агринская, Т.В. Машовец. ФТП, 28, 1505 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.