"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Роль азота в формировании люминесцирующих кремниевых нанопреципитатов при отжиге слоев SiO2, имплантированных ионами Si
Качурин Г.А.1, Яновская С.Г.1, Журавлев К.С.1, Ruault М.-О.2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2CSNSM-CNRS / IN2P3, Orsay, France
Поступила в редакцию: 6 февраля 2001 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2001 г.

В слои SiO2 имплантировали ионы Si+ с энергией 25 кэВ дозами (1-4)·1016 см-2 и ионы N+ с энергией 13 кэВ дозами (0.2-2)·1016 см-2. Затем слои отжигались при 900-1100oC для формирования люминесцирующих кремниевых нанопреципитатов. По спектрам фотолюминесценции следили за влиянием азота на этот процесс. Обнаружено, что при определенных соотношениях концентраций кремния и азота интенсивность фотолюминесценции заметно растет, а ее максимум смещается в коротковолновую сторону. Сделан вывод, что благодаря взаимодействию азота с избыточным кремнием увеличивается количество центров преципитации. В конечном итоге это ведет к росту числа нанокристаллов и к уменьшению их средних размеров. Несмотря на введение дополнительных центров преципитации, для образования нанокристаллов по-прежнему требовались минимальные концентрации избыточного Si порядка 1021 см-3 и отжиги при температурах выше 1000oC.
  1. T. Shimizu-Iwayama, S. Nakao, K. Saitoh. Appl. Phys. Lett., 65, 1814 (1994)
  2. P. Mutti, G. Gkislotti, S. Bertori, G.F. Cerofolini, L. Meda, E. Grilli, M. Guzza. Appl. Phys. Lett., 66, 851 (1995)
  3. G.A. Kachurin, I.E. Tyschenko, K.S. Zhuravlev, N.A. Pazdnikov, V.A. Volodin, A.K. Gutakovskii, A.F. Leier, W. Skorupa, R. Yankov. Semiconductors, 31, 626 (1997)
  4. M. Fujii, A. Mimura, S. Hayashi, K. Yamamoto, C. Urakawa, H. Ohta. J. Appl. Phys., 87, 855 (2000)
  5. Д.И. Тетельбаум, И.А. Карпович, М.В. Степихова, В.Г. Шенгуров, К.А. Марков, О.Н. Горшков. Поверхность, N 5, 31 (1998)
  6. S.P. Withrow, C.W. White, A. Meldrum, J.D. Budai, D.M. Hembree, jr., J.C. Barbour. J. Appl. Phys., 86, 396 (1999)
  7. L. Patrone, D. Nelson, V. Safarov, M. Sentis, W. Marine, S. Giorgio. J. Appl. Phys., 87, 3829 (2000)
  8. M. Fujii, S. Hayashi, K. Yamamoto. J. Appl. Phys., 83, 7953 (1998)
  9. J. Zhao, D.S. Mao, Z.X. Lin, B.Y. Jiang, Y.H. Yu, X.H. Liu, H.Z. Wang, G.Q. Yang. Appl. Phys. Lett., 73, 1838 (1998)
  10. J.-H. Tsai, A.-T. Yu, B.C. Shen. Japan. J. Appl. Phys., 39, L107 (2000)
  11. I.E. Tyschenko, L. Rebohle, R.A. Yankov, W. Skorupa, A. Misiuk, G.A. Kachurin. J. Luminesc., 80, 229 (1999)
  12. G.A. Kachurin, M.-O. Ruault, A.K. Gutakovskii, O. Kaitasov, S.G. Yanovskaya, K.S. Zhuravlev, H. Bernas. Nucl. Instr. Meth. B, 147, 356 (1999)
  13. Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, M.-O. Ruault, А.К. Гутаковский, К.С. Журавлев, O. Kaitasov, H. Bernas. ФТП, 34 1004 (2000)
  14. B.H. Augustine, E.A. Irene, Y.J. He, K.J. Price, L.E. McNeil, K.N. Christensen, D.M. Macher. J. Appl. Phys., 78, 4020 (1995)
  15. Q. Zhang, S.C. Bayliss, D.A. Hutt. Appl. Phys. Lett., 66, 1977 (1995)
  16. Q. Zhang, S.C. Bayliss, A.Al-Aljili, D.A. Hutt, P. Harris. Nucl. Instr. Meth. B, 97, 329 (1995)
  17. J. Zhao, D.S. Mao, Z.X. Lin, X.Z. Ding, B.Y. Jiang, Y.H. Yu, X.H. Lin, G.Q. Yang. Appl. Phys. Lett., 74, 1403 (1999)
  18. T. Ehara, S. Machida. Thin Sol. Films, 346, 275 (1999)
  19. K. Oyoshi, T. Tagami, S. Tanaka. J. Appl. Phys., 68, 3653 (1990)
  20. S. Veprek, Z. Iqbal, F.-A. Sarrot. Phys. Mag. B, 45, 137 (1982)
  21. L.A. Nesbit. Appl. Phys., 46, 35 (1985)
  22. Г.А. Качурин, А.Ф. Лейер, К.С. Журавлев, И.Е. Тысченко, А.К. Гутаковский, В.А. Володин, В. Скорупа, Р.А. Янков. ФТП, 32, 1371 (1998)
  23. C. Delerue, G. Allan, M. Lanno. Phys. Rev. B, 48, 11 024 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.