"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности фотоэлектрических свойств наноструктурированных пленок гидрированного кремния
Голикова О.А.1, Казанин М.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 января 2001 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2001 г.

Исследованы наноструктурированные пленки Si, отличающиеся содержанием водорода и формами Si--H-связей, а также некоторыми характеристиками включений Si в аморфной матрице (объемная фракция, размер, структура). Определены свойства, общие для всех исследованных пленок, по сравнению с a-Si : H --- возрастание плотности дефектов и немонотонный рост фотопроводимости на "красном крыле" спектральной зависимости. В то же время имеются пленки как с повышенной, так и с пониженной фотопроводимостью по сравнению с a-Si : H.
  1. P. Roca i Cabarrocas, S. Hamma, P. Stahel, C. Zongeaud, J.P. Kleider, R. Meaudre, M. Meaudre. Proc 14th Europ. Photovolt. Energy Conf. (Barcelona, 1997). P. 5A, p. 20
  2. О.А. Голикова, М.М. Казанин. ФТП, 33, 110 (1999)
  3. О.А. Голикова, М.М. Казанин, А.Н. Кузнецов, Е.В. Багданова. ФТП, 34, 1125 (2000)
  4. A. von Keudell, J.R. Abelson. J. Appl. Phys., 84, 489 (1998)
  5. О.А. Голикова, М.М. Казанин. ФТП, 34, 762 (2000)
  6. O.A. Golikova. ФТП, 31, 281 (1997)
  7. G.J. Adriaenssens, W. Grevendonk, О.А. Голикова. ФТП, 32, 121 (1998)
  8. M. Stutzman. Phil. Mag. B, 60, 531 (1989)
  9. В.М. Новиков. А.П. Соколов. ФТТ, 32, 1515 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.