"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование захвата электронов квантовыми точками с помощью нестационарной спектроскопии глубоких уровней
Соболев М.М.1, Кочнев И.В.1, Лантратов В.М.1, Леденцов Н.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 января 2001 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2001 г.

Сообщается о результатах исследований с помощью нестационарной спектроскопии глубоких уровней процессов эмиссии и захвата электронов квантовыми точками в p-n-гетероструктурах InGaAs/GaAs в зависимости от условий изохронного отжига при включенном/выключенном напряжении смещения (Ura<0 Ura=0). Эти исследования позволили установить, что при отжиге с Ura<0 происходит формирование диполя, образованного носителями, локализованными в квантовых точках, и ионизованными дефектами решетки. Электростатический потенциал этого диполя уменьшает барьер эмиссии и захвата электрона квантовой точкой. При отжиге с Ura=0 образования диполя не происходит, величина разрыва зон определяется условиями формирования гетерограницы при росте структуры. Обнаружена также зависимость высоты барьера захвата от длительности импульса заполнения, которая связывается с проявлением эффекта кулоновской блокады для захвата электронов на основное и возбужденное состояния квантовой точки. Исследуемые структуры с квантовыми точками выращивались методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений за счет эффектов самоорганизации.
  1. D. Bimberg, M. Grundmann, N.N. Ledentsov. Quantum Dot Heterostructures (Wiley, Chichester, 1998) p. 328
  2. M. Koltonyuk, D. Berman, N.B. Zhitenev, R.C. Ashoori, L.N. Pfeiffer, K.W. West. Appl. Phys. Lett., 74, 555 (1999)
  3. G. Yusa, H. Sakali. Appl. Phys. Lett., 70, 345 (1997)
  4. M. Grundmann, N.N. Ledentsov, O. Stier, D. Bimberg, V.M. Ustinov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Appl. Phys. Lett., 68, 979 (1996)
  5. M.A. Cusak, P.R. Briddon, M. Jaros. Phys. Rev. B, 54, 3284 (1997)
  6. P.D. Siverns, S. Malik, G. McPherson, D. Childs, C. Roberts, R. Murray, B.A. Joyce, H. Davock. Phys. Rev. B, 58, R10127 (1998)
  7. H.L. Wang, F.H. Yang, S.L. Feng, H.J. Zhu, D. Ning, H. Wang, X.D. Wang. Phys. Rev. B, 61, 5530 (2000)
  8. М.М. Соболев, Ф.Р. Ковш, В.М. Устинов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов. ФТП, 31, 1249 (1997)
  9. M.M. Sobolev, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, M.V. Maximov, N.N. Ledentsov. Proc. 19th Int. Conf. on Defects in Semicond. (Aveiro, Portugal, 1997). [Mater. Sci. Forum, 258--263, pt 3, 1619 (1997)]
  10. М.М. Соболев, Ф.Р. Ковш, В.М. Устинов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов. ФТП, 33, 184 (1999)
  11. M.M. Sobolev, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov. J. Electron. Mater., 28 (5), 491 (1999)
  12. M.M. Sobolev, I.V. Kochnev, V.M. Lantratov, N.A. Cherkashin, V.V. Emtsev. Physica B, Condens. Mater., 273--274, 959 (1999)
  13. М.М. Соболев, И.В. Кочнев, В.М. Лантратов, Н.А. Берт, Н.А. Черкашин, Н.Н. Леденцов, Д.А. Бедарев. ФТП, 34, 200 (2000)
  14. N.N. Ledentsov, M.V. Maximov, D. Bimberg, T. Maka, S.M. Sotomayor Torres, I.V. Kochnev, I.L. Krestnikov, V.M. Lantratov, N.A. Cherkashin, Yu.M. Musikhin, Zh.I. Alferov. Semicond. Sci. Technol., 15, 604 (2000)
  15. D. Pons, P.M. Monney, J.C. Bourgoin. J. Appl. Phys., 51, 2038 (1980)
  16. J.H. Zhao, T.E. Schlesinger, A.G. Milnes. J. Appl. Phys., 62, 2865 (1987)
  17. Y. Toyozawa. Physica, 116B, 7 (1983)
  18. H. Drexler, D. Leonard, W. Hansen, J.P. Kotthaus, P.M. Petroff. Phys. Rev. Lett., 73, 2252 (1994)
  19. W.-H. Chang, T.M. Hsu, N.T. Yeh, J.-I. Chyi. Phys. Rev. B, 62, 13 040 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.