"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Анализ температурной зависимости концентрации электронов в монокристаллах CdGeAs2
Борисенко С.И.1
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 30 октября 2001 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2001 г.

Проведен анализ температурной зависимости концентрации электронов в монокристаллах CdGeAs2, выращенных новым методом. Вычислено значение концентрации собственных дефектов и энергия активации. Показано, что энергия активации имеет резонансный характер, а концентрация собственных дефектов в исследуемой области температур 10-500 K существенно превышает концентрацию электронов.
  1. С.И. Борисенко, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, В.Г. Тютерев. ФТП, 35 (6), 720 (2001)
  2. И.К. Полушина, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Т.Н. Ушакова. ФТТ, 41, 1190 (1999)
  3. T.N. Morgan. Phys. Rev. A, 139, 343 (1965)
  4. С.И. Борисенко, Г.Ф. Караваев. Изв. вузов. Физика, N 4, 101 (1988)
  5. H.C. Casey, jr., F. Stern. J. Appl. Phys., 47, 631 (1976)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.