Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние условий выращивания эпитаксиальных слоев 6H-SiC из газовой фазы на вхождение Al

Зеленин В.В.¹, Корогодский М.Л.¹, Лебедев А.А.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 5 февраля 2001 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2001 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Приведены результаты исследований методом вторичной ионной масс-спектрометрии нелегированных эпитаксиальных слоев 6H-SiC p-типа проводимости, выращенных из газовой фазы. Обсуждаются возможные источники фоновой примеси, механизм вхождения в слой и связь между стехиометрией и адсорбцией - с одной стороны, и эффектом конкурентного замещения примесями узлов кристаллической решетки - с другой. Накопление алюминия в адсорбционном слое SiC объясняется его поверхностной активностью. Рост концентрации Al с увеличением концентрации углерода связывается с образованием кремниевых вакансий, занимаемых атомами алюминия.

V.V. Zelenin, A.A. Lebedev, M.G. Rastegaeva, D.V. Davidov, V.E. Chelnokov, M.L. Korogodskii. Mater. Sci. Eng. B, 61--62, 183 (1999)
D.J. Larkin. MRS Bulletin, 22 (3), 36 (1997)
Б.В. Спицын. Техника средств связи. Сер. Технология производства и оборудование, N 4, 7 (1991)
Е.Н. Мохов. Автореф. докт. дис. (СПб., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, 1998)
A.A. Burk, Jr., L.B. Rowland. Appl. Phys. Lett., 68 (3), 382 (1996)
Ф. Крегер. Химия несовершенных кристаллов (М., Мир, 1969)
И.П. Базаров. Термодинамика (М., Изд-во физ.-мат. лит., 1961)
В.К. Семеченко. Поверхностные явления в металлах и сплавах (М., Госиздат, 1957)
Н.Д. Сорокин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков, М.А. Чернов. Кристаллография, 28, 910 (1983)
C. Hallin, I.G. Ivanov, T. Egilsson, A. Henry, O. Kordina, E. Janzen. J. Cryst. Growth, 183, 163 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель