Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Некоторые аспекты газофазной эпитаксии карбида кремния
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 5 февраля 2001 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2001 г.
Проведен краткий сравнительный анализ эпитаксиальных технологий роста SiC из газовой фазы. Отмечены две тенденции в использовании внутренней оснастки реакторов. Независимо от конструктивных особенностей и используемых активных газов параллельно с эпитаксиальным ростом идут химические реакции водорода с внутренней оснасткой реактора. Эти реакции контролируют реальное соотношение [C]/[Si] в газовой фазе и частично определяют фоновую концентрацию примеси в чистых эпитаксиальных слоях.
- S. Minagva, H.C. Gatos. Japan. J. Appl. Phys., 10 (12), 1680 (1971)
- M.S. Saidov, Kh. Shamuratov, M.A. Kadyrov. J. Cryst. Growth, 87, 519 (1988)
- В.В. Зеленин, В.А. Соловьев, С.М. Старобинец, С.Г. Конников, В.Е. Челноков. ФТП, 29 (6), 1122 (1995)
- H. Matsunami, S. Nishino, M. Odaka, T. Tanaka. J. Cryst. Growth, 31, 72 (1975)
- C. Hallin, I.G. Ivanov, T. Eglisson, A. Henry, O. Kordina, E. Janzen. J. Cryst. Growth, 183, 163 (1998)
- V.V. Zelenin, A.A. Lebedev, S.M. Starobinets, V.E. Chelnokov. Mater. Sci. Eng. B, 46, 300 (1997)
- M. Fatemi, P.E.R. Nordquist. J. Appl. Phys., 61, 1883 (1987)
- E. Janzen, O. Kordina. Inst. Phys. Conf. Ser., 142, 653 (1996)
- A.A. Burk, M.J.O'Loughlin, S.S. Mani. Mater. Sci. Forum, 264--268, 83 (1998)
- R. Rupp, P. Langing, J. Volki, D. Stephani. J. Cryst. Growth, 146, 37 (1995)
- L.B. Rowland, G.T. Dunne, J.A. Freitas. Mater. Sci. Forum, 338--342, 161 (2000)
- S. Nishino, A. Powell, H.A. Will. Appl. Phys. Lett., 42 (5), 460 (1983)
- Б.В. Спицын. Техника средств связи. Сер. Технология производства и оборудование, N 4, 7 (1991)
- M.D. Alendorf, R.J. Kee. J. Electrochem. Soc., 138 (3), 841 (1991)
- J.A. Powell, L.G. Matus. Springer Proc. Phys., 43, 14 (1989)
- C. Hallin, F. Owman, P. Martenson, A. Ellison, A. Konstantinov, O. Kordina, E. Janzen. J. Cryst. Growth, 181, 241 (1997)
- V.V. Zelenin, A.A. Lebedev, M.L. Korogodskii. Abstracts 3d Int. Seminar Silicon Carbide \& Related Materials (Novgorod the Great, 2000) p. 49
- A.A.Bark, Jr, L.B. Rowland. Appl. Phys. Lett., 68 (3), 382 (1996)
- J.A. Powell, D.J. Larkin, P.B. Abel. J. Electron. Mater., 24, 295 (1995)
- B.E. Landini, G.R. Brandes, Appl. Phys. Lett., 74 (18), 2632 (1999)
- O. Kordina, A. Henry, E. Janzen, C.H. Carter. Mater. Sci. Forum, 264--268, 97 (1998)
- J.T. Kendall. J. Chem. Phys., 21 (5), 821 (1953)
- S. Karmann, C. Haberstrob, F. Engelbrecht, W. Suttrop, A. Schoner, M. Schadt, R. Helbig, G. Pensl, R. Stein, S. Leibenzeder. Physica B, 185, 75 (1993)
- V.V. Zelenin, A.A. Lebedev, M.G. Rastegaeva, D.V. Davidov, V.E. Chelnokov, M.L. Korogodskii. Mater. Sci. Eng. B, 61--62, 183 (1999)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
