"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Некоторые аспекты газофазной эпитаксии карбида кремния
Зеленин В.В.1, Корогодский М.Л.1, Лебедев А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 5 февраля 2001 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2001 г.

Проведен краткий сравнительный анализ эпитаксиальных технологий роста SiC из газовой фазы. Отмечены две тенденции в использовании внутренней оснастки реакторов. Независимо от конструктивных особенностей и используемых активных газов параллельно с эпитаксиальным ростом идут химические реакции водорода с внутренней оснасткой реактора. Эти реакции контролируют реальное соотношение [C]/[Si] в газовой фазе и частично определяют фоновую концентрацию примеси в чистых эпитаксиальных слоях.
  1. S. Minagva, H.C. Gatos. Japan. J. Appl. Phys., 10 (12), 1680 (1971)
  2. M.S. Saidov, Kh. Shamuratov, M.A. Kadyrov. J. Cryst. Growth, 87, 519 (1988)
  3. В.В. Зеленин, В.А. Соловьев, С.М. Старобинец, С.Г. Конников, В.Е. Челноков. ФТП, 29 (6), 1122 (1995)
  4. H. Matsunami, S. Nishino, M. Odaka, T. Tanaka. J. Cryst. Growth, 31, 72 (1975)
  5. C. Hallin, I.G. Ivanov, T. Eglisson, A. Henry, O. Kordina, E. Janzen. J. Cryst. Growth, 183, 163 (1998)
  6. V.V. Zelenin, A.A. Lebedev, S.M. Starobinets, V.E. Chelnokov. Mater. Sci. Eng. B, 46, 300 (1997)
  7. M. Fatemi, P.E.R. Nordquist. J. Appl. Phys., 61, 1883 (1987)
  8. E. Janzen, O. Kordina. Inst. Phys. Conf. Ser., 142, 653 (1996)
  9. A.A. Burk, M.J.O'Loughlin, S.S. Mani. Mater. Sci. Forum, 264--268, 83 (1998)
  10. R. Rupp, P. Langing, J. Volki, D. Stephani. J. Cryst. Growth, 146, 37 (1995)
  11. L.B. Rowland, G.T. Dunne, J.A. Freitas. Mater. Sci. Forum, 338--342, 161 (2000)
  12. S. Nishino, A. Powell, H.A. Will. Appl. Phys. Lett., 42 (5), 460 (1983)
  13. Б.В. Спицын. Техника средств связи. Сер. Технология производства и оборудование, N 4, 7 (1991)
  14. M.D. Alendorf, R.J. Kee. J. Electrochem. Soc., 138 (3), 841 (1991)
  15. J.A. Powell, L.G. Matus. Springer Proc. Phys., 43, 14 (1989)
  16. C. Hallin, F. Owman, P. Martenson, A. Ellison, A. Konstantinov, O. Kordina, E. Janzen. J. Cryst. Growth, 181, 241 (1997)
  17. V.V. Zelenin, A.A. Lebedev, M.L. Korogodskii. Abstracts 3d Int. Seminar Silicon Carbide \& Related Materials (Novgorod the Great, 2000) p. 49
  18. A.A.Bark, Jr, L.B. Rowland. Appl. Phys. Lett., 68 (3), 382 (1996)
  19. J.A. Powell, D.J. Larkin, P.B. Abel. J. Electron. Mater., 24, 295 (1995)
  20. B.E. Landini, G.R. Brandes, Appl. Phys. Lett., 74 (18), 2632 (1999)
  21. O. Kordina, A. Henry, E. Janzen, C.H. Carter. Mater. Sci. Forum, 264--268, 97 (1998)
  22. J.T. Kendall. J. Chem. Phys., 21 (5), 821 (1953)
  23. S. Karmann, C. Haberstrob, F. Engelbrecht, W. Suttrop, A. Schoner, M. Schadt, R. Helbig, G. Pensl, R. Stein, S. Leibenzeder. Physica B, 185, 75 (1993)
  24. V.V. Zelenin, A.A. Lebedev, M.G. Rastegaeva, D.V. Davidov, V.E. Chelnokov, M.L. Korogodskii. Mater. Sci. Eng. B, 61--62, 183 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.