Вышедшие номера
Влияние эрбия на электронные ловушки в структурах a-Si : H(Er)/c-Si, полученных методом плазмохимического осаждения
Лысенко В.С.1, Тягульский И.П.1, Осиюк И.Н.1, Назаров А.Н.1, Вовк Я.Н.1, Гоменюк Ю.В.1, Теруков Е.И.2, Коньков О.И.2
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 ноября 2000 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2001 г.

Впервые исследованы электрические свойства и характеристики дефектов верхней половины запрещенной зоны, образующихся при введении эрбия в аморфный гидрированный кремний a-Si : H(Er), полученный методом плазмохимического осаждения (PECVD).