"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Связь рекомбинации на интерфейсных состояниях и аномально малого показателя степени люксамперной характеристики в микрокристаллическом кремнии
Коугия К.В.1, Теруков Е.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 ноября 2000 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2001 г.

Проведен анализ рекомбинации неравновесных носителей в слабо легированном бором микрокристаллическом кремнии p-типа проводимости, полученном высокочастотным разложением силана, сильно разбавленного водородом, при большой высокочастотной мощности. Для структуры такого материала характерно наличие колонноподобных образований, состоящих из микрокристаллитов. Установлено, что в ограниченном интервале температур доминирующим механизмом рекомбинации может выступать рекомбинация на межколонных границах в сочетании с туннелированием и частичной термической активацией. Такая рекомбинация приводит к необычно малому показателю люксамперной характеристики gamma=0.3. Предлагаемая модель позволяет рассчитать температурные зависимости gamma при разных уровнях легирования материала и предсказывает падение эффективности легирования и рост дефектности материала при увеличении концентрации введенного бора. При повышенных температурах происходит смена механизма рекомбинации и начинает преобладать рекомбинация на границах, подчиняющаяся статистике Шокли--Рида, а при пониженных температурах преобладает туннельная рекомбинация внутри колонн. Оба механизма приводят к росту gamma до обычных значений (gamma~ 0.7).
  1. M. Luysberg, P. Hapke, R. Carius, F. Finger. Phil. Mag. A, 75, 31 (1997)
  2. Z.H. Zhou, S.D. Baranovsky, S. Yamasaki, K. Ikuta. Semiconductors, 32, 807 (1998)
  3. A.G. Kazanskii, H. Mell, E.I. Terukov, P.A. Forsh. Semiconductors, 34, 367 (2000)
  4. D. Ruff. Elecktrischer Transport in Mikrokristallinen Silicium. Thesis (Philipps--Universitat Marburg, Marburg--Lahn, 1999)
  5. R. Rentzsch, I.S. Shlimak. Phys. St. Sol. (a), 43, 231 (1977)
  6. P. Torres, J. Meier, R. Fluckkiger, U. Kroll, J.A. Anna Selvan, H. Keppner, A. Shah. Appl. Phys. Lett., 69, 1373 (1996)
  7. W. Shockley, W.T. Read. Phys. Rev., 87, 835 (1952)
  8. G.W. Taylor, J.G. Simmons. J. Non-Cryst. Sol., 8--10, 940 (1972)
  9. А.Я. Шик. ЖЭТФ, 68, 1859 (1975)
  10. B.I. Shklovsky, E.I. Levin, H. Frizsche, S.D. Baranovskii. In: Advances in Disordered Semicond., vol. 3: Transport, Correlation and Structural Defects, ed. by H. Fritzsche (World Scientific, 1990) p. 161
  11. C.V. Koughia, I.S. Shlimak. In: Advances in Disordered Semicond., vol. 3: Transport, Correlation and Structural Defects, ed. by H. Fritzsche (World Scientific, 1990) p. 213
  12. A.C. Давыдов. Квантовая механика (М., Наука, 1973)
  13. K.M. Doshchanov. Semiconductors, 30, 305 (1996)
  14. W.E. Spear, P.G. LeComber. In: The Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon I (Springer Verlag, 1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.