"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Локальная атомная структура нанокристаллического GaAs по данным EXAFS-исследований
Валеев Р.Г.1, Деев А.Н.1, Рац Ю.В.1, Бабанов Ю.А.2, Крылов П.Н.3, Кобзиев В.Ф.3, Ломаева С.Ф.1
1Физико-технический институт Уральского отделения Российской академии наук, Ижевск, Россия
2Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
3Удмуртский государственный университет, Ижевск, Россия
Поступила в редакцию: 9 ноября 2000 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2001 г.

Рассмотрены условия получения нанокристаллических пленок арсенида галлия термическим методом на базе модернизированной вакуумной установки УВН-71-П3 с использованием трех видов испарителей. С помощью метода протяженной тонкой структуры рентгеновского спектра поглощения (английская аббревиатура EXAFS) исследована локальная атомная структура полученных образцов.
  1. М.Г. Мильвидский, В.В. Чалдышев. ФТП, 32, 513 (1998)
  2. S.I. Zabinsky, J.J. Rehr, A. Ankudinov, R.C. Albers, M.J. Eller. Phys. Rev. B, 52, 2995 (1995)
  3. Д.И. Кочубей, Ю.А. Бабанов и др. Рентгеноспектральный метод изучения структуры аморфных тел: EXAFS-спектроскопия (Новосибирск, Наука, 1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.