Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Латеральный транспорт горячих дырок в двумерной структуре GaAs/Al0.3Ga0.7As
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 5 октября 2000 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2001 г.
В образцах структур дырочного типа GaAs/Al0.3Ga0.7As на переднем фронте импульса тока в сильном электрическом поле обнаружен острый пик. Анализ его формы и величины в зависимости от величины электрического поля, а также перераспределение поля вдоль образца позволяют сделать вывод о существовании в этих условиях доменной неустойчивости. При этом показано, что разогрев дырок в умеренных электрических полях может существенно превышать энергию оптического фонона.
- V.Ya. Aleshkin, A.A. Andronov, A.V. Antonov, N.A. Bekin, A.V. Gavrilenko, V.I. Gavrilenko, D.G. Revin, E.A. Uskova, B.N. Zvonkov, N.B. Zvonkov, W. Knap, J. Lusakowski, C. Skierbiszewski. Mater. Sci. Forum, 297--298, 261 (1999)
- Yu.L. Ivanov, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, D.V. Tarkhin, A.A. Prokof'ev, E. Gornik, R. Zobl. Proc. Int. Conf. Nanostruct. Phys. and Technology (St. Petersburg, 1999) p. 435
- Yu.L. Ivanov, G.V. Churakov, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, A.Yu. Egorov. Sol. St. Electron., 40, 391 (1996)
- И.В. Алтухов, М.С. Каган, К.А. Королев, В.П. Синис. ЖЭТФ, 103, 91 (1993)
- Ю.Л. Иванов, Г.В. Чураков, В.М. Устинов, А.Е. Жуков. ФТП, 29 (9), 1702 (1995)
- М.Е. Левинштейн, Ю.К. Пожела, М.С. Шур. Эффект Ганна (М., Сов. радио, 1975)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
