"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Латеральный транспорт горячих дырок в двумерной структуре GaAs/Al0.3Ga0.7As
Иванов Ю.Л.1, Елизаров И.В.1, Устинов В.М.1, Жуков А.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 5 октября 2000 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2001 г.

В образцах структур дырочного типа GaAs/Al0.3Ga0.7As на переднем фронте импульса тока в сильном электрическом поле обнаружен острый пик. Анализ его формы и величины в зависимости от величины электрического поля, а также перераспределение поля вдоль образца позволяют сделать вывод о существовании в этих условиях доменной неустойчивости. При этом показано, что разогрев дырок в умеренных электрических полях может существенно превышать энергию оптического фонона.
  1. V.Ya. Aleshkin, A.A. Andronov, A.V. Antonov, N.A. Bekin, A.V. Gavrilenko, V.I. Gavrilenko, D.G. Revin, E.A. Uskova, B.N. Zvonkov, N.B. Zvonkov, W. Knap, J. Lusakowski, C. Skierbiszewski. Mater. Sci. Forum, 297--298, 261 (1999)
  2. Yu.L. Ivanov, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, D.V. Tarkhin, A.A. Prokof'ev, E. Gornik, R. Zobl. Proc. Int. Conf. Nanostruct. Phys. and Technology (St. Petersburg, 1999) p. 435
  3. Yu.L. Ivanov, G.V. Churakov, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, A.Yu. Egorov. Sol. St. Electron., 40, 391 (1996)
  4. И.В. Алтухов, М.С. Каган, К.А. Королев, В.П. Синис. ЖЭТФ, 103, 91 (1993)
  5. Ю.Л. Иванов, Г.В. Чураков, В.М. Устинов, А.Е. Жуков. ФТП, 29 (9), 1702 (1995)
  6. М.Е. Левинштейн, Ю.К. Пожела, М.С. Шур. Эффект Ганна (М., Сов. радио, 1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.