"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Проводимость электростатически разупорядоченных квазидвумерных полупроводниковых систем в области перколяционного перехода диэлектрик--металл
Аронзон Б.А.1, Бакаушин Д.А.2, Веденеев А.С.2, Давыдов А.Б.1, Мейлихов Е.З.1, Чумаков Н.К.1
1РНЦ "Курчатовский институт", Институт молекулярной физики, Москва, Россия
2Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 10 июля 2000 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2001 г.

Рассмотрены закономерности перколяционного перехода в квазидвумерных (2D) электронных системах (структура металл--нитрид--оксид--полупроводник с инверсионным n-каналом) с сильным электростатическим флуктуационным потенциалом и длиной затвора, меньшей радиуса корреляции перколяционного кластера, когда проводимость структур контролируется одиночными перевальными областями флуктуационного потенциала. В рамках формализма Landauer--Buttiker проанализированы экспериментальные зависимости проводимости от потенциала полевого электрода и температуры. Экспериментально определены энергетические параметры седловых областей флуктуационного потенциала и эффективная плотность электронных состояний (Nss propto m/pih2) вблизи уровня перколяции. Продемонстрировано согласие результатов экспериментов и предложенной статистической модели формирования седловых областей флуктуационного потенциала в квази-2D системах. Показано, что по мере приближения к порогу перколяции, седла превращаются в желоба, вытянутые в направлении пути протекания.
  1. Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем (М., Мир, 1985)
  2. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1. с. 377
  3. М. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия (М., Мир, 1991) с. 632
  4. В.М. Пудалов. Письма ЖЭТФ, 66, 168 (1997)
  5. Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982)
  6. В.А. Гергель, Р.А. Сурис. ЖЭТФ, 84, 719 (1983)
  7. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  8. Y. Meir. Phys. Rev. Lett., 83, 3506 (1999)
  9. Б.А. Аронзон, Д.А. Бакаушин, А.С. Веденеев, В.В. Рыльков, В.В. Сизов. ФТП, 31, 1460 (1997)
  10. Б.А. Аронзон, А.С. Веденеев, В.В. Рыльков. ФТП, 31, 648 (1997)
  11. Б.А. Аронзон, Д.А. Бакаушин, А.С. Веденеев, Е.З. Мейлихов, В.В. Рыльков. Письма ЖЭТФ, 66, 633 (1997)
  12. A.I. Yakimov, N.P. Stepina, A.V. Dvurechenskii. Phys. Low-Dim. Structur., 6, 75 (1994)
  13. М.Э. Райх, И.М. Рузин. Письма ЖЭТФ, 43, 437 (1986)
  14. А.С. Веденеев, А.Г. Гайворонский, А.Г. Ждан. ПТЭ, N 2, 246 (1992)
  15. M. Buttiker. Phys. Rev. B, 41, 7906 (1990)
  16. R. Landauer. Z. Phys., 68, 217 (1987)
  17. E.H. Nicollian, J.R. Brews. MOS Physics and Technology (N. Y. Willey, 1982)
  18. В.Л. Бонч-Бруевич, И.П. Звягин, Р. Кайпер, А.Г. Миронов, Р. Эндерлайн, Б. Эссер. Электронная теория неупорядоченных полупроводников (М., Наука, 1981) с. 383

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.