"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Переходный слой в контактах Шоттки TiB2--GaAs и Au--TiB2--GaAs
Венгер Е.Ф.1, Конакова Р.В.1, Охрименко О.Б.1, Сапко С.Ю.1, Шеховцов Л.В.1, Иванов В.Н.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 18 июля 2000 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2001 г.

Измерены спектральные характеристики поперечной объемной фотоэдс в исходных (неотожженных) и отожженных при температуре 400, 600 и 800oC образцах контактов Шоттки TiB2--GaAs и Au--TiB2--GaAs с концентрацией легирующей примеси в подложке n-GaAs равной 1016 см-3. Установлено, что в структурах TiB2--GaAs образуется переходной слой вследствие диффузии атомов бора в подложку GaAs. Температурный отжиг приводит к увеличению степени его легирования. В структуре Au--TiB2--GaAs формируется переходной слой, уровень легирования которого слабо изменяется при температурном отжиге. Спектральное положение максимумов объемной фотоэдс указывает на образование хвостов плотности состояний в полупроводниковом переходном слое вследствие повышения степени его легирования примесями до концентрации 1017-1018 см-3.
  1. Р.А. Андриевский. Успехи химии, 66, 57 (1977)
  2. А.В. Галанхин, Б.В. Маркин, В.В. Чикун. ЭТ, сер. СВЧ техника, 4, 38 (1994)
  3. А.С. Драненко, Л.А. Дворина. Тугоплавкие соединения в микроэлектронике (Киев, ИПМ, 1996) с. 10
  4. В.Б. Бессонов, В.Н. Иванов, А.С. Драненко, В.З. Сканун, В.М. Яшнин. Применение традиционных и разработка новых пленочных материалов (Киев, ИПМ, 1994) с. 65
  5. R. Gonzulez, M.G. Barandika, D. Oca, J.M. Sunchez, A. Villelas, A. Valea, F. Castro. Mater. Sci. Engin. A, 210, 185 (1996)
  6. A. Hirose, M. Hasegawa, K.F. Kobayashi. Mater. Sci. Engin. A, 239--240, 46 (1997)
  7. I. Zergioti, M. Velegrakis, G.N. Haidemenopoulos. Appl. Surf. Sci., 126, 92 (1998)
  8. Я. Тауц. Фото- и термоэлектрические явления в полупроводниках (М., ИЛ, 1962)
  9. И.А. Баев, Е.Г. Валяшко ФТТ, 7, 2585 (1965)
  10. С.И. Несмелов. Изв. вузов. Физика, N 3, 37 (1999)
  11. В.В. Антипин, В.А. Годовицын, Д.В. Громов, А.С. Кожевников, А.А. Раваев. Зарубеж. радиоэлектрон. N 1, 37 (1995)
  12. Л.В. Шеховцов, А.В. Саченко, Ю.М. Шварц. ФТП, 29 (3), 566 (1995)
  13. Е.Ф. Венгер, В.В. Миленин, И.Б. Ермолович, Р.В. Конакова, В.Н. Иванов, Д.И. Войциховский ФТП, 33 (8) 948 (1999)
  14. M.D. Sturge. Phys. Rev., 127, (3), 768 (1962)
  15. А.С. Драненко, Л.А. Дворина, В.М. Яшник. Тугоплавкие соединения в микроэлектронике (Киев, ИПМ, 1996) с. 52--55
  16. В.Б. Бондаренко, Ю.А. Кудинов, С.Е. Ершов, В.В. Кораблев. ФТП, 32 (5), 554 (1998)
  17. А.Н. Андронов, Н.Т. Баграев, Л.Е. Клячкин, С.Б. Робозеров. ФТП 32 (2), 137 (1998)
  18. Б.И. Бедный. ФТП, 33 (11), 1350 (1999)
  19. Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках (М., Мир, 1973)
  20. H.C. Casay, jr., D.D. Sell, K.W. Wecht. J. Appl. Phys., 46, (1), 250 (1975)
  21. А. Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках (М., Мир, 1977)
  22. Z. Liliental-Weber, R. Gronsky, J. Washburn, N. Newman, W.E. Spicer, E.R. Weber. J. Sci. Technol. B, 4 (4), 912 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.