"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Состояния на границе раздела и вольт-фарадные характеристики гетероструктур n-SnO2(Ni)/p-Si в условиях газовой адсорбции
Васильев Р.Б.1, Гаськов А.М.1, Румянцева М.Н.1, Рябова Л.И.1, Акимов Б.А.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 14 сентября 2000 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2001 г.

Синтезированы гетероструктуры n-SnO2(Ni)/p-Si со средним размером кристаллитов в слое диоксида олова 6--8 нм. Вольт-фарадные характеристики структур измерены в осушенном воздухе и в условиях адсорбции молекул NO2 и C2H5OH. Изменение частоты опорного сигнала в пределах 0.5--20 кГц позволило выделить вклад состояний на гетерогранице в емкость структуры. Показано, что адсорбция молекул NO2 приводит к уменьшению плотности состояний на гетерогранице, а адсорбция молекул спирта --- к ее увеличению.
  1. J.P. Donnelly, A.G. Milnes. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-14, 63 (1967)
  2. J.N. Zemel, E. Keramati, C.W. Spivak, A.D. D'Amico. Sensors Actuators B, 1, 427 (1981)
  3. M.N. Rumyantseva, A.M. Gaskov, L.I. Ryabova, J.P. Senateur, B. Chenevier, M. Labeau. Mater. Sci. Eng., 41, 333 (1996)
  4. Б.А. Акимов, А.М. Гаськов, М. Лабо, С.Е. Подгузова, М.Н. Румянцева, Л.И. Рябова, А. Тадеев. ФТП, 33, 205 (1999)
  5. Р.Б. Васильев, А.М. Гаськов, М.Н. Румянцева, А.С. Рыжиков, Л.И. Рябова, Б.А. Акимов. ФТП, 34, 993 (2000)
  6. J.A. Agapito, J.P. Santos. Sensors Actuators B, 31, 93 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.