"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Релаксационный характер диэлектрического отклика кристаллов Cd1-xZnxTe, выращенных из расплава
Клименко И.А.1, Комарь В.К.2, Мигаль В.П.1, Наливайко Д.П.2
1Государственный аэрокосмический университет им. Н.Е. Жуковского "ХАИ", Харьков, Украина
2НТК "Институт монокристаллов" Национальной академии наук Украины, Харьков, Украина
Поступила в редакцию: 14 августа 2000 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2001 г.

Показано, что низкочастотный диэлектрический отклик кристаллов Cd1-xZnxTe, выращенных из расплава, определяется макроскопическими ростовыми дефектами и их упругими и электрическими полями. Взаимосогласованная перестройка этих полей при внешнем воздействии обусловливает изменение характера диэлектрического отклика, в котором отражаются особенности изменения крупномасштабного потенциального рельефа.
  1. V. Komar, A. Gektin, D. Nalivaiko, I. Klimenko, V. Migal, O. Panchuk, A. Rybka. 11th Int. workshop on room temperature semiconductor X- and gamma-ray detectors and associated electronics, Oct. 11--15, Vienna, Austria (1999) p. 8
  2. I.A. Klimenko, V.K. Komar, V.P. Migal, D.P. Nalivaiko. Functional Materials, 7 (1), 1113 (2000)
  3. В.П. Мигаль, А.Л. Рвачев, О.Н. Чугай. ФТП, 19 (8), 1517 (1985)
  4. Ю.А. Загоруйко, В.К. Комарь, В.П. Мигаль. О.Н. Чугай. ФТП, 29 (6), 1065 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.