"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Полуэмпирическая модель подвижности носителей заряда в карбиде кремния для анализа ее зависимости от температуры и легирования
Мнацаканов Т.Т.1, Поморцева Л.И.1, Юрков С.Н.1
1Всероссийский электротехнический институт, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 21 августа 2000 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2001 г.

Проанализированы экспериментальные данные по подвижности электронов и дырок в трех политипах карбида кремния: 4H-SiC, 6H-SiC и 3C-SiC. Предложена полуэмпирическая модель для описания зависимости подвижности основных носителей заряда от температуры и уровня легирования. Модель хорошо описывает сумму накопленных к настоящему времени экспериментальных данных и может оказаться полезной для моделирования характеристик многослойных структур на основе карбида кремния.
  1. T.P. Chow, V. Khemka, J. Fedison, N.R. Ramungul, K. Matocha, Y. Tang, R.J. Gutmann. Sol. St. Electron., 44, 277 (2000)
  2. Y. Sugawara, K. Asano, R. Singh, J.W. Palmour. Abstracts of Int. Conf on SiC and related materials (ICSCRM 1999) Pres. 170
  3. A. Flasser, M. Chezzo, N. Krishnamurthy, J. Kretchmer, A.W. Glock, D.M. Brown, T.P. Chow. Sol. St. Electron., 44, 317 (2000)
  4. F. Yang, J.H. Zhao, G.N. Olsen. Sol. St. Electron., 44, 341 (2000)
  5. K.J. Schoen, J.M. Woodall, J.A. Cooper, M.R. Malloch. IEEE Trans. Electron. Dev., 45, 1595 (1998)
  6. N.V. Dyakonova, P.A. Ivanov, V.A. Koslov, M.E. Levinshtein, J.W. Palmour, S.L. Rumyantsev, R. Singh. IEEE Trans. Electron. Dev., 46, 2188 (1999)
  7. B. Li, L. Cao, J.H. Zhao. IEEE Electron. Dev. Lett., 20, 219 (1999)
  8. J. Spitz, M.R. Melloch, J.A. Cooper, M.A. Capano. Mater. Sci. Forum, 264-- 268, 1005 (1999)
  9. R. Schorner, P. Friedrichs, D. Peters, D. Stephani. IEEE Electron. Dev. Lett., 20, 241 (1999)
  10. J. Wang, B.W. Williams. Semicond. Sci. Technol., 13, 806 (1998)
  11. A. Elford, P.A. Mawby. Microelectronics J., 30, 524--527 (1999)
  12. S. Selberherr. Analysis and simulation of semiconductor devices, (Wien-N.Y., Springer Verlag, 1984)
  13. M. Yamanaka, H. Daimon, E. Sakuma, S. Misawa, S. Yoshida. J. Appl. Phys., 61, 599 (1987)
  14. M. Shinohara, M. Yamanaka, H. Daimon, E. Sakuma, H. Okumura, S. Misawa, K. Endo, S. Yoshida. Jap. J. Appl. Phys., 27, L433 (1988)
  15. W.J. Choyke, G. Pensl. Mater. Res. Bull., N 25 (1997)
  16. W.J. Schaffer, H.S. Kong, G.N. Nagley, J.W. Palmour. Inst. Phys. Conf. Ser., 137, 155 (1994)
  17. R. Mickevicius, J.H. Zhao. J. Appl. Phys., 83, 3161 (1998)
  18. G.D. Chen, J.Y. Lin, H.X. Jaing. Appl. Phys. Lett., 68, 1341 (1996)
  19. D.L. Barrett, R.B. Campbell. J. Appl. Phys., 38, 53 (1967)
  20. G. Rutsch, R.P. Devaty, W.J. Choyke, D.W. Langer, L.B. Rowland. J. Appl. Phys., 84, 2062 (1998)
  21. T. Kinoshita, M. Schadt, K.M. Itoh, J. Muto, G. Pensl. Abstracts of Int. Conf. on SiC, III-Nitrides and Related Mater. (Stockholm, Sweden, 1997) p. 631
  22. H.J. van Daal, W.F. Knippenberg, J.D. Wasscher. J. Phys. Chem. Sol., 24, 109 (1963)
  23. D.M. Caughey, R.E. Thomas. Proc. IEEE, 55, 2192 (1967)
  24. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.