"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Анализ формы полосы люминесценции, обусловленной переходами свободных электронов на атомы углерода в полуизолирующих нелегированных кристаллах GaAs
Глинчук К.Д.1, Литовченко Н.М.1, Прохорович А.В.1, Стрильчук О.Н.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 20 июня 2000 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2001 г.

Проанализирована при различных температурах (T=4.8-77 K) форма наблюдаемой в полуизолирующих нелегированных кристаллах арсенида галлия полосы фотолюминесценции, обусловленной рекомбинацией свободных электронов на мелких акцепторах --- атомах углерода. Показано, что при низких температурах она существенно отличается, а при высоких --- близка к ожидаемой теоретической для излучательных переходов <свободный электрон>--<изолированный мелкий акцептор>. Наблюдаемое различие экспериментальной и теоретической формы указанной полосы фотолюминесценции связано с уширением создаваемых углeродом акцепторных уровней (т. е. с образованием акцепторной примесной зоны) вследствие воздействия электрических полей беспорядочно расположенных ионизированных акцепторов и доноров на "изолированные" атомы углерода. Их совпадение связано с существенным возрастанием средней энергии свободных электронов (до значений порядка и выше ширины акцепторной примесной зоны).
  1. M. Ozeki, K. Nakai, K. Dazai, O. Ryuzan. Japan. J. Appl. Phys., 13, 1121 (1974)
  2. D.J. Ashen, P.J. Dean, D.T.J. Hurle, J.B. Mullin. J. Phys. Chem. Sol., 36, 1041 (1975)
  3. T. Kamiya, E. Wagner. J. Appl. Phys., 48, 1928 (1977)
  4. А.П. Леванюк, В.В. Осипов. УФН, 133, 427 (1981)
  5. L. Pavesi, M.J. Guzzi. J. Appl. Phys., 75, 4779 (1994)
  6. A.M. Stoneham. Rev. Mod. Phys., 41, 82 (1969)
  7. А.А. Кальфа, Ш.М. Коган. ФТП, 6, 2175 (1972)
  8. А.П. Леванюк, В.В. Осипов. ФТП, 7, 1575 (1973)
  9. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  10. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990)
  11. J.D. Dow, D.L. Smith, F.L. Lederman. Phys. Rev. B, 8, 4612 (1973)
  12. К.Д. Глинчук, Н.М. Литовченко, А.В. Прохорович, О.Н. Стрильчук. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., вып. 34, 42 (1999)
  13. M. Maciaszek, D.W. Rogers, R.P. Bult. Canad. J. Phys., 67, 384 (1989)
  14. E. Grilly, M. Guzzi, L. Pavesi. Phys. Rev. B, 45, 1638 (1992)
  15. В.В. Осипов, Т.И. Соболева, М.Г. Фойгель. ФТП, 11, 1277 (1977)
  16. В.В. Осипов, Т.И. Соболева, М.Г. Фойгель. ФТП, 13, 542 (1979)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.