Анализ формы полосы люминесценции, обусловленной переходами свободных электронов на атомы углерода в полуизолирующих нелегированных кристаллах GaAs
Глинчук К.Д.1, Литовченко Н.М.1, Прохорович А.В.1, Стрильчук О.Н.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 20 июня 2000 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2001 г.
Проанализирована при различных температурах (T=4.8-77 K) форма наблюдаемой в полуизолирующих нелегированных кристаллах арсенида галлия полосы фотолюминесценции, обусловленной рекомбинацией свободных электронов на мелких акцепторах - атомах углерода. Показано, что при низких температурах она существенно отличается, а при высоких - близка к ожидаемой теоретической для излучательных переходов <свободный электрон>-<изолированный мелкий акцептор>. Наблюдаемое различие экспериментальной и теоретической формы указанной полосы фотолюминесценции связано с уширением создаваемых углeродом акцепторных уровней (т. е. с образованием акцепторной примесной зоны) вследствие воздействия электрических полей беспорядочно расположенных ионизированных акцепторов и доноров на "изолированные" атомы углерода. Их совпадение связано с существенным возрастанием средней энергии свободных электронов (до значений порядка и выше ширины акцепторной примесной зоны).
- M. Ozeki, K. Nakai, K. Dazai, O. Ryuzan. Japan. J. Appl. Phys., 13, 1121 (1974)
- D.J. Ashen, P.J. Dean, D.T.J. Hurle, J.B. Mullin. J. Phys. Chem. Sol., 36, 1041 (1975)
- T. Kamiya, E. Wagner. J. Appl. Phys., 48, 1928 (1977)
- А.П. Леванюк, В.В. Осипов. УФН, 133, 427 (1981)
- L. Pavesi, M.J. Guzzi. J. Appl. Phys., 75, 4779 (1994)
- A.M. Stoneham. Rev. Mod. Phys., 41, 82 (1969)
- А.А. Кальфа, Ш.М. Коган. ФТП, 6, 2175 (1972)
- А.П. Леванюк, В.В. Осипов. ФТП, 7, 1575 (1973)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990)
- J.D. Dow, D.L. Smith, F.L. Lederman. Phys. Rev. B, 8, 4612 (1973)
- К.Д. Глинчук, Н.М. Литовченко, А.В. Прохорович, О.Н. Стрильчук. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., вып. 34, 42 (1999)
- M. Maciaszek, D.W. Rogers, R.P. Bult. Canad. J. Phys., 67, 384 (1989)
- E. Grilly, M. Guzzi, L. Pavesi. Phys. Rev. B, 45, 1638 (1992)
- В.В. Осипов, Т.И. Соболева, М.Г. Фойгель. ФТП, 11, 1277 (1977)
- В.В. Осипов, Т.И. Соболева, М.Г. Фойгель. ФТП, 13, 542 (1979)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук