Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

К вопросу о стабилизации электрофизических свойств в компенсированном кремнии при облучении gamma-квантами ⁶⁰Co

Юнусов М.С.¹, Каримов М.¹, Джалелов М.А.¹

¹Институт ядерной физики АН Республики Узбекистан, Улугбек, Ташкент, Узбекистан Institute of Nuclear Physics, Academy of Sciences of Uzbekistan, Tashkent, Uzbekistan

Institute of Nuclear Physics, Academy of Sciences of Uzbekistan, Tashkent, Uzbekistan

Поступила в редакцию: 27 мая 1999 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2001 г.

PDF версия

Исследуется изменение концентрации носителей заряда в компенсированном кремнии (полученном предварительным облучением) под воздействием облучения gamma-квантами. Обнаружено, что скорость удаления носителей заряда в компенсированном кремнии меньше, чем в контрольном образце. Обсуждается новый механизм, обусловливающий радиационную стабильность электрофизических свойств компенсированного кремния.

Е.Ф. Уваров, М.В. Чукичев. В сб.: Радиационная физика неметаллических кристаллов (Минск, Наука и техника, 1970) с. 81
М.К. Бахадырханов, С.З. Зайнабиддинов, А.Т. Тешабаев. ФТП, 11, 285 (1977)
М.К. Бахадырханов, Ф.М. Талипов. ФТП, 16, 574 (1982)
С.З. Зайнабиддинов, Э.Э. Рубинов. Нейтронно-трансмутационное легирование кремния (Ташкент, Фан, 1983)
К.П. Абдурахманов, Р.Ф. Витман, Х.С. Далиев, А.А. Лебедев, Ш.Б. Утамурадова. ФТП, 19, 1617 (1985)
С.З. Зайнабиддинов, Х.С. Далиев. Дефектообразование в кремнии (Ташкент, Изд-во Ташк. гос. ун-та, 1993)
И.Д. Конозенко, А.К. Семенюк, В.И. Хиврич. Радиационные эффекты в кремнии (Киев, Наук. думка, 1974) с. 199
В.Л. Винецкий, Г.А. Холодарь. Радиационная физика полупроводников (Киев, Наук. думка, 1979) с. 336
Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
Дж. Миз, П. Глэрон. В кн.: Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников, под ред. Дж. Миза (М., Мир, 1982) с. 239
E. Sonder, L.C. Templeon. J. Appl. Phys., 36, 1811 (1965)
В.В. Болотов, А.В. Васильев, В.П. Кожевников, С.А. Смагулова, Л.С. Смирнов. ФТП, 12, 1104 (1978)
Легирование полупроводников методом ядерных реакций, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, Наука, 1981) с. 181
А.В. Васильев, С.А. Смагулова, С.С. Шаймеев. ФТП, 16, 140 (1982)
А.В. Васильев, С.А. Смагулова, С.С. Шаймеев. ФТП, 16, 1983 (1982)
М.К. Шейнкман, А.Я. Шик. ФТП, 10, 209 (1976)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель