Особенности неравновесной функции распределения при рассеянии электронов на полярных оптических фононах в полупроводниках AIIIBV
Борисенко С.И.1
1Cибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 12 июля 2000 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2001 г.
Проведен численный анализ неравновесной функции распределения для рассеянии электронов на полярных оптических фононах в полупроводнике GaAs. Уравнение Больцмана для неравновесной функции решалось численно итерационным методом с учетом распределения электронов по состояниям. Показано, что неравновесная добавка к функции распределения при низких температурах имеет сложный вид. Значения подвижности, рассчитанной с этой функцией, сравниваются с величиной, полученной в широко используемом приближении.
- В.М. Ардышев, М.В. Ардышев, С.С. Хлудков. ФТП, 34, 28 (2000)
- М.Б. Коханюк. Фосфид индия в полупроводниковой электронике (Кишинев, 1988)
- Я.Э. Кирсон, Э.Э. Клотыньш, Р.К. Круминя. Изв. АН Латв. ССР. Сер. физ. и техн. наук., N 3, 47 (1982)
- B. Podor, N. Nador. Acta Phys. Academ. Sci. Hungaricae, 37, (1974) p. 317
- A. Fortini, B. Diguet, J. Lugand. J. Appl. Phys., 32, Suppl., 2155 (1961)
- H. Ehrenreich. Phys. Rev., 120, 1951 (1960)
- А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников (М., Наука, 1978) гл. 8, c. 481
- Б. Ридли. Квантовые процессы в полупроводниках (М., Мир, 1986) гл. 3, с. 131
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук