Вышедшие номера
Особенности неравновесной функции распределения при рассеянии электронов на полярных оптических фононах в полупроводниках AIIIBV
Борисенко С.И.1
1Cибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 12 июля 2000 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2001 г.

Проведен численный анализ неравновесной функции распределения для рассеянии электронов на полярных оптических фононах в полупроводнике GaAs. Уравнение Больцмана для неравновесной функции решалось численно итерационным методом с учетом распределения электронов по состояниям. Показано, что неравновесная добавка к функции распределения при низких температурах имеет сложный вид. Значения подвижности, рассчитанной с этой функцией, сравниваются с величиной, полученной в широко используемом приближении.