"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Эффект усиления контраста передачи изображения при взаимодействии ультрафиолетового излучения с пленками неорганических фоторезистов
Калитеевская Н.А.1, Сейсян Р.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 июня 2000 г.
Выставление онлайн: 20 января 2001 г.

Теоретически исследовано фотохимическое преобразование тонких пленок неорганических фоторезистов под действием ультрафиолетового излучения эксимерного лазера. Показано, что, оптимизировав интенсивность излучения и дозу облучения, можно достичь сужения переходной области между засвеченными и незасвеченными участками, что приводит к улучшению качества изображения при фотолитографии.
  1. Г.Н. Березин, А.В. Никитин, Р.А. Сурис. Оптические основы контактной литографии (М., Радио и связь, 1982)
  2. H. I. Smith. J. Vac. Sci. Technol. B, 6 (1), 346 (1988)
  3. Е.Г. Бараш, А.Ю. Кабин, В.М. Любин, Р.П. Сейсян. ЖТФ, 62 (3), 106 (1994)
  4. Л.Г. Гладышева, Н.А. Калитеевская, Р.П. Сейсян, Д.В. Смирнов. Письма ЖТФ, 22, (15), 91 (1996)
  5. Н.А. Калитеевская, Р.П. Сейсян. ФТП, 34 (7), 857 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.